Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама
 




Мероприятия:




Прямое запирающее напряжение

Так как большинство силовых модулей работает с постоянным напряжением, которое возникает в результате выпрямления одно-, или трехфазным выпрямительными мостами, запирающее напряжение часто используемых IGBT (600 В, 1200 В, 1700 В) задается по отношению к уровню напряжения общей шины; это также относиться и к сильно запираемым MOSFET-модулям.

Поэтому, предварительный выбор делается по линейному напряжению (угол управления 00 для управляемых выпрямителей) VN или постоянное напряжение без нагрузки Vdi:

VN/V выпрямление Vdi/V VDSS, VCES/V
24 B2 22 50
48 B2 44 100
125 B2 110 200
200...246 B2 180...221 500, 600
400...460 B6 540...621 1200
575...690 B6 777...932 1700
...1000... B6 1500 3300

После чего нужно проверить его на соответствие предельному напряжению, например:

  • максимальное постоянное входное напряжение (номинальное напряжение + линейное отклонение напряжения, например, 15 %)
  • переходные линейные перенапряжения, как будто бы их не удалось уменьшить линейными фильтрами, электролитическими конденсаторами и цепями со стороны постоянного напряжения (сглаживающие диоды, снабберы, варисторы),
  • перенапряжения при выключении Vd + DV

Максимальное напряжение модуля будет превышено при

DV = LQ · Imax/tf

где

LQ: паразитная индуктивность коммутации, см.п. 1.4.2.5 и 3.4.2
Imax: максимальный коллекторный или стоковый ток выключения (чаще активное короткозамкнутое выключение, см.п. 3.6)
tf: время спада тока коллектора или стока.

Здесь нужно уделить особое внимание тому, что максимальные значения для VDSS/VCES в справочных данных относятся к характеристикам кристалла транзистора и не отображают «динамическое» поведение модуля. В справочных данных также представлена внутренняя индуктивность модуля LCE (например 20...30 нГн), которая составляет часть LQ; напряжение, приложенное к кристаллу, будет превышать напряжение на выводах при выключении на величину LCE · I/tf. Это показано на диаграмме в справочнике по SEMITRANS MOSFET, которая поясняет изменение допустимого напряжения на выводах сток-исток от скорости изменения тока стока diD/dt ID/tf (рис.3.1)

Изменение напряжения сток-исток SEMITRANS MOSFET модуля SKM 111 A от скорости изменения тока стока diD/dt
Рис. 3.1. Изменение напряжения сток-исток SEMITRANS MOSFET модуля SKM 111 A от скорости изменения тока стока diD/dt



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники