Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Задание параметров и выбор MOSFET, IGBT и SKiiPPACK модулейПри выборе силовых модулей для любой длительной или мгновенной (перегрузки) работы, для конкретного устройства, необходимо рассматривать
При нормальных статических и динамических условиях работы не должны превышаться максимальные значения запирающего напряжения (включая стойкие к пробоям MOSFET), импульсного тока, температуры перехода и области безопасной работы (см.п. 2.7), приведенные в справочных данных. То же самое относится и к предельным значениям параметров корпуса модуля (например, напряжение изоляции, вибрации, климатические условия, способы крепления). Для высокой надежности и большого срока службы, модули разработаны для определенного числа циклов коммутаций, которые обычно соответствуют определенному количеству температурных циклов. (п. 1.4.2.4 и 3.2.3). В дальнейшем, «серьезное» задание не предполагает полное температурное использование полупроводников до максимальных значений Tj(max) (например 150°С) для обеспечения запаса в теоретически непредвиденных случаях, и для небольшого отступа статических и динамических характеристик, взятых при максимальной температуре 125°С, и гарантированных производителями. Как было рассмотрено в п. 2.6, наиболее важные характеристики силовых модулей будут ухудшаться с ростом температуры. По этой и другим причинам, определению максимальной рабочей температуры также будет уделено особое внимание.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|