Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
НадежностьНадежность, или соответствие характеристик определенный период времени, одно из наиболее важных параметров качества силовых модулей. С одной стороны, у силовых модулей высокая электрическая и температурная отдача; с другой стороны, преждевременный выход из строя может вызвать опасную поломку. Надежность очень сложно выразить при относительно малой партии, чаще встречается срок службы (10.30 а) и технические требования при сложных тестах, но ее можно найти из
Далее приведены некоторые из выбранных тестов силовых модулей без излишних подробностей по обширной системе обеспечения качества EN ISO 9001, по которой SEMIKRON дает 2-х летнюю TQM гарантию на все свои силовые полупроводники. Были проведены следующие стандартные тесты для выпуска и оценки качества MOSFET и IGBT модулей, а также отдельные, специфичные тесты на надежность:
Действительные следующие критерии неисправностей в соответствии со стандартом MIL-STD-19500:
На рис.2.26 и рис.2.27 показаны примеры измерительных процессов: измерительные схемы и процессы циркуляции температуры и мощности.
Основные характеристики надежности силовых модулей могут быть проверены с помощью тестов на циркуляцию мощности и температуры, см. также п. 1.4.2.4 следовательно, эти тесты играют важную роль при оценке качества модулей.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|