| Поиск по сайту: | 
 | По базе: | 
|  | 
| Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов | |||||||||
|  | |||||||||
| 
 Ток в прямом направленииМаксимальные продолжительные токи коллектора или стока, IC или ID соответственно, приведенные в справочных данных как типичные токи для разработанного модуля, и максимальные значения могут быть вычислены для полностью управляемого транзистора при температуре корпуса, например, 25°С или 80°С по формуле 
 Для модулей без основной пластины вместо Th заменит Tcase и Rthjh заменит Rthjc. Значения для RDS(on) и VCEsat должны браться при максимальной температуре кристалла Tj(max). Эти данные предназначены только для ориентировочной оценки, так как при реальной работе возникнут потери при коммутации и в закрытом состоянии (малые) дополнительно к потерям в открытом состоянии, температура корпуса будет отличаться и максимальные постоянные значения RDS(on) и VCEsat не будут достигнуты при полном процессе включения. При данной температуре корпуса (25°С, 80°С) импульсные значения тока IDM или ICM определены для одиночных импульсов продолжительностью 1 мс и, в то же время, определяют максимальные значения тока при периодическом включении и выключении (SOAR). Поэтому, протекающий прямой ток определяется 
 Дополнительные ограничения можно применить на практике, при рассмотрении характеристик активной защиты при перегрузках по току в драйвере (см.п. 3.5). 
  Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи  | |||||||||
