Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Температурная модель охлаждающего устройстваПри пояснении температурных характеристик силовых модулей в п. 1.4.2.2, теплоотвод в эквивалентной температурной блок-схеме показан только одним RC-элементом (Rthha, Zthha). Однако, с возрастанием рассеиваемой мощности при t = 0 от Р = 0 до Р = Рm, характеристика переходного температурного импеданса теплоотвода Zthha от времени разбивается на несколько временных констант как показано на рис.3.16 в качестве примера. Характеристика общего температурного импеданса Zthja(t) конструкции может быть определена дополнением графика характеристиками температурного импеданса силового модуля и теплоотдачей радиатора. Zth(t) - кривые можно построить при суммировании кспоненциальных функций при помощи уравнений: Количество u и Rthu - и - tu - значений выбирается так, чтобы можно было выполнить достаточную аппроксимацию характеристики без дополнительных сложных расчетов, независящих от физической структуры. Один из методов итерации, например, описан в [266]. Значения для моделирования, данные SEMIKRONом, и кратко упомянутые в этих разделах, основаны на модели с 4-временными константами (u = 4).
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|