Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||||||||||||||
Программное обеспечение SEMIKRONSEMIKRON предоставляет разнообразные возможности расчета и много способов для моделирования различных схем и условий нагрузки для программного обеспечения силовых модулей, особенно для SKiiPPACK и MiniSKiiP. Наиболее важным средством для потребителя является программа SKiiPsel, которая, однако, ограничена расчетом SKiiPPACK и MiniSKiiP [273], [274], [276]. SKiiPsel имеется на SEMIKRON-CD-ROM [265]. Эта программа предоставляет пользователям SKiiPPACK и MiniSKiiP компонентов возможность расчета потерь мощности IGBT и диодов в схемах при условии синусоидального выходного тока и фиксированных условий управления. Разработка программы рассчитана на удобство пользования отдельным человеком, использование программы без дополнительного обучения и быструю «оценку» компонентов по их требованиям в устройстве. Основана на вводе рабочих условий (ток, напряжение, частота, цикл нагрузки, температура), программа способна рассчитать потери мощности в IGBT и обратных диодах, а также окончательные температуры кристалла и радиатора. Программа выберет подходящий прибор по определенному пользователем критерию выбора, и проверит работоспособность предложенной пользователем схемы. Для условий охлаждения пользователь может выбрать специальные функции или выбрать такие из программы (воздушное или водяное охлаждение, скорость потока охладителя). Результаты расчета представляются графически и как отчет в ACCESS. По результатам о температурных циклах установленных программой при рассчитанных условиях нагрузки будет возможность сделать оценку об ожидаемом сроке службы силового полупроводника. SKiiPsel работает с отдельными характеристическими моделями, основанными на измеренных и интерполированных зависимостях. Характеристики, требуемые для кристаллов IGBT и диодов, которые используются в SKiiPPACK и MiniSKiiP показаны ниже:
И потери мощности в плечах IGBT / обратных диодах
Полученных при условии
Они хранятся в программе и доступны пользователю. Потери мощности в IGBT и обратных диодах рассчитывается итеративно в зависимости от выходного тока, температуры кристалла и условий охлаждения в соответствии с принципом, описанным в п. 3.2. MathCAD Другая возможная техническая поддержка при расчете схем с несинусоидальными выходными токами и традиционными IGBT или MOSFET модулями, которая не входит в состав SKiiPsel. Для этого SEMIKRON разработал специальную программу на основе MathCAD, которая способна выполнить температурное моделирование любой схемы пользователя, например, вольтодобавочных преобразователей, систем инвертирования источника тока и преобразователей с линейной коммутацией. Кроме максимальных значений и характеристик силовых полупроводниковых приборов SEMIKRON, встроенная база данных содержит, например, данные о радиаторах и экспериментальные результаты испытаний цикла нагрузки с силовыми модулями. Поэтому расчеты температурных циклов и срока службы компонентов возможны для любых циклов нагрузки.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|