Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 




Мероприятия:




SKiiPPACK

На рис.1.58 показана конструкция SKiiPPACK (Semikron integrated intelligent Power Pack)

Основная конструкция SKiiPPACK
Рис. 1.58. Основная конструкция SKiiPPACK

В отличие от обычных транзисторных модулей, DCB-подложка, на которой находятся кристаллы IGBT и диодов, не припаяна к медной основной пластине, а придавлена по всей поверхности прямо к теплоотводу пластиковым каркасом. Электрическое соединение DCB с выводами SKiiPPACK, разработанными для подключения плоских низкоиндуктивных шин, изготовлено из контактов под давлением и низкоиндуктивной разводки. Металлическая пластина служит для прижимания, и как тепловой и ЭМП-щит цепей драйвера, который также встроен в корпус SKiiP.

Параллельным расположением многих, относительно малых IGBT-кристаллов, и их оптимальным контактом с радиатором, температурное сопротивление может быть значительно уменьшено, по сравнению со стандартными модулями, так как тепло равномерно распределяется по теплоотводу.

Три размера корпуса (2, 3 и 4х-секционные с GB, GAL или GAR конфигурацией) и различное расположение кристаллов, так же как и адаптированные компоненты драйвера, подключаемые простой внешней конструкцией, гарантируют изготовление двойных модулей, Н-мостов, 6- и 7- ключевой конструкции по 600 В-, 1200 В-, и 1700 В- технологии. 3300 В - SKiiPPACK еще разрабатываются.

На рис.1.59 в качестве примера показана специальная гибкость принципа SKiiPPACK.

Возможные подключения SKiiPPACK с тремя одинаковыми DCB
Рис. 1.59. Возможные подключения SKiiPPACK с тремя одинаковыми DCB (пример)
а) общий вид SKiiPPACK на алюминиевом теплоотводе
b) 6-ти ключевой
с) двойной режим (полумостовой)

Кроме кристаллов транзисторов и диодов, в DCB встроены PTC-термодатчики; их выходной сигнал прямо влияет на работу драйвера (термозащита) и, благодаря аналоговому усилению в драйвере, также может использоваться для контроля температуры радиатора.

АС-контакты SKiiPPACK снабжены датчиками тока для защиты от перегрузок по току и коротких замыканий в IGBT. Обработку сигналов и согласование выполняет внутренний драйвер, который расположен на прижимной пластине; это будет подробно описано в п. 1.6 и 3.5.8. Непотенциальные токи сигналов могут быть также использованы в реальных значениях для внешних датчиков и цепей управления.

Преимущества SKiiPPACK по сравнению с обычными модулями:

  • улучшенная циркуляция тепла,
  • уменьшенное тепловое сопротивление при прямой передаче тепла кристалл-DCB-теплоотвод,
  • возможность изготовления очень компактной конструкции при большой плотности мощности,
  • малые коммутационные перенапряжения благодаря совершенной низкоиндуктивной конструкции, например, высокое допустимое постоянное входное напряжение и уменьшенная генерация помех,
  • ремонтируемость и пригодность к переработке для вторичного использования благодаря отсутствию жесткого литья и внутренней пайки,
  • оптимальная подгонка внутреннего интеллектуального драйвера,
  • проверка грузоспособности всей системы производителем.

На рис.1.60 показаны корпуса SKiiPPACK и некоторые из стандартных внутренних схем. Остальные схемы также имеются, и могут быть встроены по желанию потребителя (например, brake-ключ, асимметричный мост). Кроме показанных ниже радиаторов, для SKiiPPACK могут использоваться и другие воздушные или водяные теплоотводы.

Корпуса SKiiPPACK и стандартные внутренние схемы
Рис. 1.60. Корпуса SKiiPPACK и стандартные внутренние схемы

* корпус S5 имеет дополнительный DIN-контакт в правом квадрате сверху (для входа brake-ключа)
** F-функция: оптоволоконная связь для входного драйвера и индикатора выходных перегрузок


<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники