Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Режим включенияКогда диод переходит в проводящее состояние, напряжение в первый момент будет возрастать до значения VFRM. Рис.1.18 показывает VFRM и время включения tft. Но эта кривая не дает достаточно информации о режиме работы обратных диодов, так как:
Низкое VFRM . одно из наиболее важных требований к обратным диодам, так как снабберные цепи становятся эффективны только после включения диода. Выброс напряжения также важен для обратных диодов, которые работают при обратных напряжениях > 1200 В. При выключении IGBT, возникает импульс напряжения из-за паразитной индуктивности, который суммируется с VFRM обратного диода, что может привести к перенапряжениям. Однако эти измерения нетривиальны, поскольку индуктивная составляющую и VFRM нельзя разделить специальными схемами. Измерения можно сделать при открытой конструкции непосредственно на выводах диода. С другой стороны, режим включения диода не важен при балансе потерь мощности, так как потери на включение намного меньше, чем при выключении и при прохождении прямого тока, так что ими можно пренебречь.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|