AT45DB642

DataFlash память с напряжением питания 2,7 В и двойным интерфейсом

Отличительные особенности:

• Однополярное напряжение питания: от 2,7 до 3,6 В
• Архитектура двойного интерфейса
  • Последовательный интерфейс, совместимый с SPI (режимы 0 и3)
  • Параллельный I/O интерфейс (дополнительный)
• Страничный режим программирования
  • Перепрограммирование за один цикл (стирание и программирование)
  • 8192 страницы (1024 байтов/страница) основной памяти
• Дополнительные операции страниц и блоков
• Два буфера SRAM данных, емкостью по 1056 байтов - обеспечивают прием данных в процессе перепрограммирования энергонезависимой памяти
• Возможность непрерывного чтения по всей матрице
• Встроенный таймер управления и программирования
• Малое потребление
  • Типовое потребление в режиме чтения - 4 мА
  • Типовое потребление в режиме Standby - 2 мкА
• Максимальная тактовая частота последовательного интерфейса - 20 МГц
• Максимальная тактовая частота параллельного интерфейса - 5 МГц
• Типовое время программирования страницы - 1,5 мс
• Возможность аппаратной защиты данных
• Совместимые с CMOS и TTL входы/выходы
• Коммерческий и промышленный диапазоны температур

Функциональная схема AT45DB642:

Расположение выводов AT45DB642:

Краткое описание.

AT45DB642 это микросхема Flash памяти с однополярным питанием напряжением 2.7В и двумя интерфейсами обмена данными, пригодная для перепрограммирования внутри системы. Два интерфейса при одновременном использовании позволяют подсоединить к AT45DB642 через последовательный интерфейс к DSP, а через параллельный – микроконтроллер или наоборот. 69’206’016 бит памяти организованы как 8192 страницы по 1056 бит каждая. В дополнение к основной памяти имеются 2 буфера SDRAM емкостью 1056 бит каждый. Буферы позволяют считывать данные во время записи страницы основной памяти. В отличие от обычных микросхем Flash памяти, в которых доступ осуществляется произвольно к каждой ячейке с использованием сложных адресов и параллельного интерфейса, технология DataFlash® использует как последовательный, так и параллельный интерфейс для последовательного доступа к данным, что упрощает топологию кристалла, увеличивает надежность, минимизирует шумы переключения, а также снижает размеры корпуса и необходимое число выводов. Микросхема оптимизирована для широкого круга коммерческих приложений, где необходимы высокая плотность монтажа, малое число выводов, малое напряжение питания, и низкая потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот микросхемы – до 20 МГц, при типичном потребляемом токе 4 мА.

Для обеспечения простоты записи микросхема требует напряжения питания 2.7-3.6В как для операции считывания, так и записи. Выбор микросхемы осуществляется подачей на вывод #CS низкого логического уровня, после чего доступ к памяти осуществляется по последовательному трехпроводному интерфейсу (SI –вход, SO - выход, SCK/CLK – тактовые импульсы) или параллельному интерфейсу (I/O0-I/O7 – данные, SCK/CLK – тактовые импульсы).

Все циклы программирования являются самотактируемыми (выполняются встроенным автоматом при внутреннем тактировании), поэтому отдельной операции стирания перед записью не требуется.

Документация:

		320 Kb Engl Описание микросхемы AT45DB642
		RUS Полное описание микросхемы AT45DB642 на русском языке