Внутренняя низкоиндуктивная структура
На примере полумостового модуля, рис.1.55 показывает основные внутренние паразитные индуктивности модуля, возникающие при соединениях между кристаллами и выводами модуля (внутренние проводники).
Рис. 1.55. Паразитные индуктивности сдвоенного IGBT модуля
- LQG: паразитные индуктивности затвора
- LQC: паразитная индуктивность верхнего коллектора
- LQEC: паразитная индуктивность между верхним эмиттером и нижним коллектором
- LQE: паразитная индуктивность нижнего эмиттера
- LCE: общая паразитная индуктивность верхний коллектор - нижний эмиттер
Минимизация этих индуктивностей, которые вызывают перенапряжения при выключении и снижают dI/dt при включении, а также индуктивную связь между силовыми и цепями управления, будет напрямую влиять на характеристики силовых модулей.
Кроме того, паразитные индуктивности модулей с параллельным расположением кристаллов внутри могут вызвать разные динамические характеристики кристаллов и генерацию между ними. В п. 3.4.1 детально рассмотрены эти корреляции.
| 
