|
Поиск по сайту: |
|
По базе: |
 |
| Главная страница > Статьи > Силовая электроника | |||||||||
|
|
|||||||||
IGBT транзисторыИстория транзисторов IGBT берет начало в середине 80-х годов прошлого столетия, когда компания International Rectifier (США) запатентовала первый биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) промышленного образца. Через два года был создан биполярный аналог с уплощенной структурой, выдерживающий более высокие нагрузки. Арсенал приборов нынешнего поколения, представленных на http://oao-sozvezdie.ru/catalog/1010206-igbt_tranzistor/, лишен недостатков, характерных для моделей-пионеров. Как работает IGBT? Данный вид транзисторов относят к управляемым полупроводниковым устройствам, с трехслойной структурой. Их включение/отключение происходит при появлении или снятии положительного напряжения между затвором и истоком. Биполярный транзистор оснащен тремя выводами наружной локации: эмиттером, коллектором и затвором. Устройство объединяет преимущества транзисторов двух видов: полевых и биполярных. Образовавшуюся в результате объединения модель отличает повышенное сопротивление на входе с повышенной токовой нагрузкой и небольшим уровнем сопротивления в рабочем состоянии.
Использование биполярных транзисторов. IGBT широко используются в инверторах, в источниках сварочных токов, импульсных регуляторах тока. Также они задействованы в схемах управления электроприводами высокой мощности в городском электротранспорте.
Этот вид транзисторов хорошо себя показал при работе с напряжением превышающим 1000 В, температурах более 100 С и выходной мощности свыше 5 кВт. Ему нашлось применение в ИБП и сварках с частотой тока менее 50 кГц. Производители. Российский рынок освоили ряд зарубежных производителей IGBT, один из которых мощнейшая европейская компания STMicroelectronics, IGBT-линейка которой включает приборы, предназначенные для инверторов, драйверов электродвигателей, модулей и систем управления двигателями электромобилей. Широко на отечественном рынке представлены IGBT-модули компании International Rectifier и японских фирм Mitsubishi и Hitachi. Разработкой IGBT-модулей в России занимаются АО «Электровыпрямитель», ИСЭ СО РАН, НПК «Микроэлектроника».
 Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|||||||||
Механизм срабатывания IGBT сводится к выполнению нескольких задач: когда поступает положительное напряжение, открывается полевой транзистор в направлении затвор/исток, что сопровождается формированием n-канала исток-сток. Движущийся заряд провоцирует открытие биполярной части устройства и образование тока в направлении эмиттер-коллектор. В общем, биполярная часть прибора управляется полевым транзистором.
Использование объединенных в модули IGBT в осуществлении управления тяговыми силовыми установками помимо высокого КПД обеспечивает плавный ход и разрешает задействовать рекуперативный тормоз при различных скоростях.