Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > ЖКИ > Драйвера > SED1335

реклама
 




Мероприятия:




4.0 Спецификация

4.1 Абсолютные максимальные номиналы SED1335F

Параметр Символ Номинал Единица измерения
Диапазон напряжения питания VDD -0.3…7.0 В
Диапазон входного напряжения VIN -0.3… VDD +0.3 В
Рассеяние мощности PD 300 мВт
Диапазон рабочей температуры Topr -20…75 °С
Диапазон температуры хранения Tstg -65…150 °С
Температура паяния (10 секунд). См. примечание 1. Tsolder 260 °С

Примечания:

  1. Влагостойкость плоского корпуса может быть уменьшена если корпус погрузить в припой. Использовать метод пайки мягким припоем, который не вызывает температурного напряжения корпуса.
  2. Если источник питания имеет высокое сопротивление, то между входом и напряжениями питания может возникать большой перепад напряжения. Соблюдать надлежащую осторожность с источником питанияи и при планировке шин питания. (См. раздел 2.3).
  3. Все питающие напряжения установлены в исходное состояние VSS=0В.

4.2 Электрические характеристики SED1335F

VDD=4.5…5.5В, VSS=0В, Та=-20…75°С

Параметр Символ Условие Номинал Единица
мин тип макс
Напряжение питания VDD   4.5 5.0 5.5 В
Напряжение хранение регистра данных VOH   2.0 - 6.0 В
Входной ток утечки ILI VI=VDD.См.прим.6 - 0.05 2.0 мкА
Выходной ток утечки ILO VI=VSS. См.прим. 6 - 0.10 5.0 мкА
Рабочий ток питания Iopr См.примечание 4 - 11 15 мА
Ток питания покоя IQ Режим ожидания,
VOSC1=VCS=VRD=VDD		 - 0.05 20.0 мкА
Частота генерации fOSC Измеренное на кварце, 47.5% рабочего цикла. См. примечание 7. 1.0 - 10.0 МГц
Внешняя тактовая частота fCL 1.0 - 10.0 МГц
Сопротивление генератора с обратной связью Rf 0.5 1.0 3.0 МОм
    ТТЛ
Высокий уровень входного напряжения VIHT См. примечание 1. 0.5 VDD - VDD В
Низкий уровень Входного напряжения VILT См. примечание 1. VSS - 0.2 VDD В
Высокий уровень выходного напряжения VOHT IOH=-5.0 мА.
См. примечание 1.		 2.4 - - В
Низкий уровень выходного напряжения VOLT IOL=5.0 мА.
См. примечание 1.		 - - VSS+0.4 В
    КМОП
Высокий уровень входного напряжения VIHC См. примечание 2. 0.8VDD - VDD В
Низкий уровень Входного напряжения VILC См. примечание 2. VSS - 0.2VDD В
Высокий уровень выходного напряжения VOHC IOH=-2.0 мА.
См. примечание 2.		 VDD-0.4 - - В
Низкий уровень выходного напряжения VOLC IOL=1.6 мА.
См. примечание 2.		 - - VSS+0.4 В
    Открытый коллектор
Низкий уровень выходного напряжения VOLN IOL=-6.0 мА.
См. примечание 5.		 - - VSS+0.4 В
    Триггер Шмидта
Пороговое напряжение нарастающего фронта VT+ См. примечание 3. 0.5VDD 0.7VDD 0.8*VDD В
Пороговое напряжение заднего фронта VT- См. примечание 3. 0.2VDD 0.3VDD 0.5VDD В

Примечания:

  • D0…D7, A0, CS, RD, WR, VD0…VD7, VA0…VA15, VRD, VWR и VCE входы с ТТЛ-уровнями.
  • SEL1 и NT/PL входы с КМОП-уровнями. YD, XD0…XD3, XSCL, XECL, LP, WF, YSCL,YDIS и CLO выходы с КМОП-уровнями.
  • RES вход триггера Шмидта. Ширина импульса на RES должна быть не менее 200 мкс. Заметьте, что пульсации более нескольких секунд будут приводить к тому, что на ЖКД панель будет подано постоянное напряжение.
  • fOSC=10 МГц,нет загрузки (нет памяти дисплея), внутренний генератор символов, дисплей 256 на 200 пикселов. Рабочий ток питания может быть понижен приблизительно на 1 мА установкой CLO и дисплея в положение "выключено".

    4.3 АС веменные диаграммы SED1335F

    4.3.1 Временные характеристики интерфейса семейства 8080

    sed1335 Временные характеристики интерфейса семейства 8080
    Рисунок 30. Временные характеристики интерфейса семейства 8080

    Ta=-20…75°C

    Сигнал Символ Параметр VDD=4.5…5.5В VDD=2.7…4.5В Единица Условие
    мин макс мин макс
    A0, CS tAH8 Время задержки адреса 10 - 10 - нс CL = 100пФ
    tAW8 Время установки адреса 0 - 0 - нс
    WR, RD tCYC Время системного цикла См. прим. - См. прим. - нс
    tCC Длительность импульса строба 120 - 150 - нс
    D0…D7 tDS8 Время установки данных 120 - 120 - нс
    tDH8 Время задержки данных 5 - 5 - нс
    tACC8 Время доступа RD - 50 - 80 нс
    tOH8 Время отключени выхода 10 50 10 55 нс

    Примечание:

    • Для команд управления памятью и управления системой: tCYC8 = 2tC + tCC + tCEA + 75 > tACV + 245
    • Для всех остальных команд: tCYC8 = 4tC + tCC + 30

    4.3.2 Временные характеристки интерфейса семейства 6800

    sed1335 Временные диаграммы интерфейса семейства 6800
    Рисунок 31. Временные диаграммы интерфейса семейства 6800

    Ta=-20…75°C

    Сигнал Символ Параметр VDD=4.5…5.5В VDD=2.7…4.5В Единица Условие
    мин макс мин макс
    A0,
    CS,
    R/W    		 tCYC6 Время системного цикла См. прим. - См. прим. - нс CL = 100 пФ
    tAW6 Время установки адреса 0 - 10 - нс
    tAH6 Время задержки адреса 0 - 0 - нс
    D0…D7 tDS6 Время установки данных 100 - 120 - нс
    tDH6 Время задержки данных 0 - 0 - нс
    tOH6 Время отключени выхода 10 50 10 75 нс
    tACC6 Время доступа - 85 - 130 нс
    E tEV Длительность разрешающего импульса 120 - 150 - нс

    Примечание:

      Для команд управления памятью и управления системой: tCYC6 = 2tC + tEW + tCEA + 75 > tACV + 245
      Для всех остальных команд: tCYC6 = 4tC + tEW + 30

    4.3.3 Временные характеристики чтения памяти дисплея

    sed1335 Временные диаграммы чтения памяти дисплея
    Рисунок 32. Временные диаграммы чтения памяти дисплея

    Ta=-20…75°C

    Сигнал Символ Параметр VDD=4.5…5.5В VDD=2.7…4.5В Единица Условие
    мин макс мин макс
    EXT Ж0 tC Период тактовой частоты 100 - 125 - нс СL = 100пФ
    VCE tW VCE длительность высокого уровня импульса tC -50 - tC -50 - нс
    tCE VCE длительность низ-кого уровня импульса 2 tC -30 - 2 tC -30 - нс
    VA0…VA15 tCYR Время цикла чтения 3 tC - 3 tC - нс
    tASC От времени установки адреса до заднего фронта VCE tC -70 - tC -100 - нс
    tAHC От заднего фронта VCE до времени задержки адреса 2tC-30 - tC-40 - нс
    VRD tRCS От времени установки цикла чтения до заднего фронта VCE tC -45 - tC -60 - нс
    tRCH От переднего фронта VCE до времени задержки цикла чтения 0.5 tC - 0.5 tC - нс
    VD0…VD7 tACV Время доступа к адресу - 3tC-100 - 3tC-115 нс
    tCEA Время доступа к VCE - 2tC-80 - 2tC -90 нс
    tOH2 Задержка выдачи даныых 0 - 0 - нс
    tCE3 Время от VCE до окончания данных 0 - 0 - нс

    4.3.4 Временные характеристики записи в память дисплея


    Рисунок 33. Временные диаграммы записи в память дисплея

    Ta=-20…75°C

    Сигнал Символ Параметр VDD=4.5…5.5В VDD=2.7…4.5В Единица Условие
    мин макс мин макс
    EXT Ж0 tC Период тактовой частоты 100 - 125 - нс СL = 100пФ
    VCE tW VCE длительность высокого уровня импульса tC -50 - tC -50 - нс
    tCE VCE длительность низкого уровня импульса 2 tC -30 - 2 tC -30 - нс
    VA0…VA15 tCYW Время цикла записи 3 tC - 3 tC - нс
    tAHC От заднего фронта VCE до времени задержки адреса 2 tC -30 - tC -40 - нс
    tASC От времени установки адреса до заднего фронта VCE tC -70 - tC -100 - нс
    tCA От переднего фронта VCE до времени задержки адреса 0 - 0 - нс
    tAS От времени задержки адреса до заднего фронта VWR 0 - 0 - нс
    tAH2 От переднего фронта VWR до времени задержки адреса 10 - 10 - нс
    VWR tWCS От времени установки цикла записи до заднего фронта VCE tC -45 - tC -60 - нс
    tWCH От переднего фронта VCE до времени задерж-ки цикла записи 0.5 tC - 0.5 tC - нс
    VD0…VD7 tACV Время доступа к адресу - 3 tC-100 - 3 tC-115 нс
    tCEA Время доступа к VCE - 2tC-80 - 2tC -90 нс
    tOH2 Задержка выдачи даныых 0 - 0 - нс
    tCE3 Время от VCE до окончания данных 0 - 0 - нс

    Примечание:

    VD0…VD7 входы/выходы с фиксацией. Несмотря на то, что шина имеет высокое сопротивление, VD0…VD7 сохраняет данные записи до тех пор, пока данные, прочитанные из памяти, помещены на шину.

    4.3.5 Временные характеристики команды SLEEP IN


    Рисунок 34. Временная диаграмма команды SLEEP IN

    Ta=-20…75°C

    Сигнал Символ Параметр VDD=4.5…5.5В VDD=2.7…4.5В Единица Условие
    мин макс мин макс
    WR tWRD Время задержки заднего фронта VCE См. прим.1 - См. прим.1 - нс СL = 100пФ
    tWRL Время задержки заднего фронта YDIS - См. прим.2 - См. прим.2 нс

    Примечания:

    1. tWRD = 18tC + tOSS + 40 (tOSS временная задержка от состояния ждущего режима до стабильной работы.
    2. tWRL = 36tC * [TC/R] * [L/F] + 70

    4.3.6 Временные характеристики сигнала внешнего генератора


    Рисунок 35. Временная диаграмма сигнала внешнего генератора

    Ta=-20…75°C

    Сигнал Символ Параметр VDD=4.5…5.5В VDD=2.7…4.5В Единица Условие
    мин макс мин макс
    EXT Ж0 tRCL Время нарастания внешнего импульса - 15 - 15 нс  
    tFCL Время спада внешнего тактового импульса - 15 - 15 нс
    tWH Длительность высоко-го уровня внешнего импульса См. прим.1 См. прим.2 См. прим.1 См. прим.2 нс
    tWL Длительность низко-го уровня внешнего импульса См. прим.1 См. прим.2 См. прим.1 См. прим.2 нс
    tC Период внешнего тактового сигнала 100 - 125 - нс

    Примечания:

    1. (tC-tRCL-tFCL)*475/1000 < tWH ,tWL
    2. (tC-tRCL-tFCL)*525/1000 > tWH ,tWL

    4.3.7 Выходные временные характеристики ЖКД

    Следующие характеристики для 1/64 рабочего цикла.


    Рисунок 36. Выходные временные характеристики ЖКД

    Ta=-20…75°C

    Сигнал Символ Параметр VDD=4.5…5.5В VDD=2.7…4.5В Единица Условие
    мин макс мин макс
      tr Время нарастания - 30 - 40 нс CL=100пФ
    tf Время спада - 30 - 40 нс
    XSCL tCX Время цикла импульса сдвига 4tС - 4tС - нс
    tWX Длительность импульса XSCL 2tС-60 - 2tС-60 - нс
    XD0-XD3 tDH Время задержки данных Х 2tС-50 - 2tС-50 - нс
    tDS Время установки данных Х 2tС-100 - 2tС-105 - нс
    LP tLS Время установки фиксации данных 2tС-50 - 2tС-50 - нс
    tWL Длительность импульса LP 4tС-80 - 4tС-120 - нс
    tLD Время задержки LP от XSCL 0 - 0 - нс
    WF tDF Допустимая задержка WF - 50 - 50 нс
    YD tDHY Время задержки данных Y 2tС-20 - 2tС-20 - нс

    Примечание:

    SED1335F читает данные памяти дисплея по адресу верхнего левого угла экрана дисплея, затем сканирует по горизонтали до тех пор, пока адрес не увеличится до нижнего правого угла экрана дисплея. Поэтому, каждая строка данных Х-драйвера посылается, начиная с левой стороны строки дисплея.



    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





    •  
    Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
    тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
    ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники