SK30GB067, SK30GAR067, SK30GAL067

IGBT-модуль SEMITOP2

Отличительные особенности:

• Компактная конструкция
• Монтаж одним винтом
• Передача тепла и изоляция через DBC-керамику
• Гипербыстродействующий NPT IGBT-транзистор
• N-канальная гомогенная кремниевая структура (NPT IGBT)
• Положительный температурный коэффициент Vcesat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении), что обеспечивает простоту параллельной работы
• Малый хвостовой ток с низкой температурной зависимостью
• Низкое пороговое напряжение

Области применения:

• Коммутация (не для линейных цепей)
• Высокочастотные приложения
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Источники бесперебойного питания

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	Значение	Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES	напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером		600	В
VGES	напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером		± 20	В
IC	ток коллектора	Tc = 20 (80) °C	45 (30)	А
ICM	максимальный ток коллектора	tp < 1 мс, Ts = 25 (80) °C	90 (60)	А
Tj	температура перехода		- 40 ... + 150	°C
Диод
IF	прямой ток	Tc = 25 (80) °C	45 (30)	A
IFM = - ICM	максимальный повторяющийся прямой ток	tимп = 1 мс	90 (60)	A
Tj	температура перехода		- 40 ... + 150	°C
Tstg	температура хранения		- 40 ... + 125	°C
Tsol	температура пайки	выводы, 10 сек.	260	°C
VISOL	напряжение испытания изоляции	действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда	2500/3000	В

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	мин.	ном.	макс.	Единица измерения
IGBT-транзистор
VCE(sat)	напряжение коллектор-эмиттер насыщения	IC = 60 A, Tj = 25 (125) °C		2,8 (3,5)		В
VGE(th)	пороговое напряжение затвор-эмиттер	VGE = VCE, IC = 0,0014 А	3	4	5	В
Cies	входная емкость при закороченном выходе	VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц		3		нФ
Rth(j-s)	Тепловое сопротивление	для IGBT			0,85	K/Вт
td(on)	длительность задержки включения	при следующих условиях: VCC = 400 В, VGE = ± 15В IC = 60 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 11 Ом индуктивная нагрузка		32		нс
tr	время нарастания			20		нс
td(off)	длительность задержки выключения			340		нс
tf	время спада			30		нс
Eon+(Eoff)	рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)			3,4		мДж
Диод
VF = VEC	прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе	IF = 60 A; Tj = 25 (125) °C		(1,25)	2	В
V(TO)	пороговое напряжение	Tj = 125 () °C		(1)		В
rT	прямое дифференциальное сопротивление	Tj = (125) °C		(9)		мОм
Rth(j-c)	тепловое сопротивление				1,6	K/Вт
IRRM	максимальный ток обратного восстановления	при следующих условиях: IF = 30 A, VR = 400 В diF/dt = -100 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C		18		A
Qrr	заряд восстановления			1,5		мКл
Err	рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления					мДж
Механические данные
M1	монтажный вращающий момент				2	Н · м
w	масса			19		грамм
	корпус	SEMITOP2		Т 32

I_C - ток коллектора;

V_GE - напряжение затвор-эмиттер;

V_CE - напряжение коллектор-эмиттер;

V_CC - напряжение питания коллектора-эмиттера;

R_Gon (R_Goff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);

I_F - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITOP2:

Схема модуля и расположение выводов SK30GB067:

Схема модуля и расположение выводов SK30GAL067:

Схема модуля и расположение выводов SK30GAR067:

Документация:

347 Kb Engl Описание модулей

Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,