FM25L256

Последовательная память FRAM размером 256 кбит и питанием 3В

Отличительные особенности:

• 256 кбит сегнетоэлектрического энергонезависимого ОЗУ

  - Организация памяти 32768 x 8 бит

  - Неограниченное количество циклов чтение-запись

  - Длительность хранения данных 10 лет

  - Технология записи NoDelay™ (без задержек)

  - Высоконадежная сегнетоэлектрическая технология

• Быстродействующий последовательный интерфейс SPI

  - Частота до 25 МГц

  - Непосредственная аппаратная замена для ЭСППЗУ

  - Поддержка режимов SPI 0 и 3 (CPOL, CPHA=0,0 и 1,1)

• Схема защита от записи

  - Аппаратная защита

  - Программная защита

• Малая потребляемая мощность

  - Напряжение питания 2.7…3.6В

  - Потребляемый ток в дежурном режиме 1 мкА

• Стандартные промышленные конфигурации

  - Промышленный температурный диапазон -40°C…+85°C

  - 8-выв. корпуса SOIC и DFN

  - Экологически чистые корпусные версии

Структурная схема FM25L256:

Расположение выводов FM25L256:

Общее описание:

FM25L256 - энергонезависимая память емкостью 256 кбит, выполненная по продвинутой сегнетоэлектрической технологии. Сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом (далее FRAM) является энергонезависимой памятью и выполняет чтение/запись аналогично ОЗУ. Она обеспечивает надежное хранение данных в течение 10 лет, исключая проблемы, связанные с применением ЭСППЗУ или других типов энергонезависимой памяти.

FM25L256, в отличие от последовательных ЭСППЗУ, выполняет операцию записи на скорости шины, не требуя каких-либо задержек. Следующий цикл шины может начинаться сразу после завершения предыдущего, не выполняя опроса данных. Кроме этого, микросхема обладает фактически неограниченной износостойкостью. Также FRAM характеризуется гораздо более низким энергопотреблением, чем ЭСППЗУ.

Приведенные особенности FM25L256 делают ее применение идеальным в приложениях, где требуется частая и быстрая запись или экономичность работы. Примерами использования данной ИС могут служить системы накопления данных, где количество циклов перезаписи является критичным параметром, и системы промышленного управления, где длительность цикла записи ЭСППЗУ может стать причиной потери данных.

Для пользователей ЭСППЗУ полезной окажется возможность установки FM25L256 на тоже посадочное место ЭСППЗУ с совместимостью по расположению выводов. FM25L256 содержит высокоскоростную шину SPI, которая еще более подкрепляет особенность высокоскоростной записи технологии FRAM. Гарантируется выполнение всех технических характеристик в температурном диапазоне -40°C…+85°C.

Описание выводов:

Наимено- вание вывода	Описание
/CS	Выбор микросхемы
/WP	Защита от записи
/HOLD	Вход прерывания работы последовательного порта
SCK	Синхронизация последовательной связи
SI	Последовательный ввод данных
SO	Последовательный вывод данных
VSS	Общий
VDD	Напряжение питание (2.7…3.6В)

Информация для заказа:

Код заказа	Корпус
FM25256-S	8-выв. SOIC
FM25256-G	8-выв. SOIC экологически чистый
FM25256-DG	8-выв. DFN экологически чистый

Документация:

156 Kb Engl Описание микросхемы FM25L256

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи