FM18L08

Энергонезависимое сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) емкостью 256 кбит с параллельным интерфейсом и пониженным напряжением питания

Отличительные особенности:

• Энергонезависимое сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) емкостью 256 кбит
      - Организация памяти 32768 x 8
      - Неограниченное количество циклов чтение/запись
      - Срок хранения информация 10 лет
      - Отсутствуют задержки при записи (NoDelay™)
      - Продвинутая высоконадежная сегнетоэлектрическая технология
• Лучше модулей BBSRAM (статическое ОЗУ с батарейным питанием)
      - Исключены беспокойства по поводу применения батареи
      - Надежность благодаря монолитности
      - Действительное решение для поверхностного монтажа без необходимости послемонтажной досборки
      - Лучше стойкость к влажности, ударам и вибрации
      - Стойкость к отрицательным выбросам напряжения
• Совместимость со статическими ОЗУ и ЭППЗУ
      - Расположение выводов по стандарту JEDEC для статических ОЗУ и ЭППЗУ с организацией памяти 32к x 8
      - Время доступа 70 нс
      - Длительность цикла записи 140 нс
• Малая потребляемая мощность
      - Напряжение питания 3…3.65В
      - Активный ток 15 мА
      - Ток покоя 15 мкA
• Соответствие промышленным стандартам
      - Рабочая температура: -40° C … +85° C
      - 28-выв. корпус SOIC или DIP

Структурная схема FM18L08:

Расположение выводов FM18L08:

Общее описание:

FM18L08 – энергонезависимая память емкостью 256 кбит, выполненная по сегнетоэлектрической технологии. Сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство или FRAM является энергонезависимым и выполняет операции чтения и записи подобно ОЗУ. Оно обеспечивает надежное хранение информации в течение 10 лет, при устранении проблем связанных со сложностью проектирования, невысокой надежностью хранения информации и функциональным несовершенством ОЗУ с резервным питанием. Кроме того, скорость записи и износостойкость ваше, чем других типов энергонезависимой памяти.

Функционирование внутри системы FM18L08 очень похоже на работу ОЗУ. Минимальная длительность цикла чтения равна минимальной длительности цикла записи. Память FRAM, при этом, обладает энергонезависимостью хранения данных благодаря применению сегнетоэлектрической технологии памяти. В отличие от статических ОЗУ с резервным батарейным питанием (BBSRAM) FM18L08 является действительной монолитной энергонезависимой памятью. Она обеспечивает те же преимущества по быстродействию записи, при этом исключены проблемы, связанные с применением модулей и батарей или гибридной памяти.

Данные возможности делают FM18L08 идеальным для приложений с энергонезависимым хранением информации, где требуется частая и быстрая запись данных при параллельном формате данных.

Доступность корпусов для поверхностного монтажа улучшает качество новых разработок, при этом корпус DIP позволит просто модернизировать существующие разработки. Для FM18L08 выполнение характеристик гарантируется во всем промышленном температурном диапазон -40°C … +85°C.

Описание выводов:

Наимено- вание вывода	Описание
A0-A14	Адресный входы (15 адресных входов позволяют выбрать одну из 32768 ячеек памяти. Фиксация адреса происходит по падающему фронту /CE)
DQ0-7	Ввод-вывод данных ( 8-разрядная двунаправленная шина данных для доступа к массиву FRAM)
/CE	Вход разрешения работы микросхемы (активный низкий уровень)
/OE	Вход разрешения выходов (Для считывания данных подается активный низкий уровень. В противном случае шина данных находится в третьем (высокоимпедансном) состоянии
/WE	Вход разрешения записи (Для записи данных необходима подача активного низкого уровня на вход /WE. Запись происходит по адресу, который был зафиксирован падающим фронтом на /CE)
VDD	Напряжение питания
VSS	Общий питания

Информация для заказа:

Код заказа	Корпус
FM18L08-70-P	28-выв. пластиковый DIP
FM18L08-70-S	28-выв.SOIC

Документация:

205 Kb Engl Описание микросхемы FM18L08

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи