Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Maxim

реклама
 




Мероприятия:




Энергонезависимое ОЗУ

Отличительные особенности

  • автоматическая защита данных при пропадании питания.
  • неограниченное количество циклов записи.
  • технология КМОП, обеспечивающая малое потребление.
  • литиевый источник энергии, отключенный от схемы до первой подачи питания, что сохраняет его емкость.
Тип прибора Емкость, бит Орган., разр Время обращения, нс Особенности архитектуры Потребление в режиме: Тип корпуса
активном пассивном
(быт./
пром.) мА		 при #CE=2.2 В, мА при #CE=VCC-0.5 В, мА
Макс. Тип. Макс. Тип. Макс.
DS1220AB(1)
DS1220AD		 16К 2Кx8 100, 120, 150, 200   75/80 5.0 10.0 3.0 5.0 JEDEC 24DIP
DS1220Y 16К 2Кx8 100, 120, 150, 200   75/85 3.0 7.0 2.0 4.0 JEDEC 24DIP
DS1225AB(1)
DS1225AD		 64К 8Кx8 70, 85, 150, 200   75/85 5.0 10.0 3.0 5.0 JEDEC 28DIP
DS1225Y 64К 8Кx8 150, 170, 200   75/85 5.0 10.0 3.0 5.0 JEDEC 28DIP
DS1230AB(1)
DS1230Y		 256К 32Кx8 70, 85, 100, 120, 150, 200   85/85 5.0 10.0 3.0 5.0 JEDEC 28DIP, LPM(2)
DS1330AB(1)
DS1330Y		 256К 32К x8 70, 100 Мониторинг питания, сигналы #RST, #BW 85/85 0.3 0.6 0.1 0.15 LPM(2)
DS1630AB(1)
DS1630Y		 256К 32К x8 70, 85, 100, 120 По-блочная защита от записи, вывод #PFO(4) 85/85 5.0 10.0 3.0 5.0 JEDEC 28DIP, LPM(2)
DS1245AB(1)
DS1245Y		 1М 128Кx8 70, 85, 100, 120   85/85 5.0 10.0 3.0 5.0 JEDEC 32DIP, LPM(2)
DS1345AB(1)
DS1345Y		 1М 128Кx8 70, 100 Мониторинг питания, сигналы #RST, #BW 85/85 0.3 0.6 0.1 0.15 LPM(2)
DS1645AB(1)
DS1645Y		 1М 128К x8 70, 85, 100, 120 По-блочная защита от записи, вывод #PFO(4) 85/85 5.0 10.0 3.0 5.0 JEDEC 32DIP, LPM(2)
DS1645EE(3) 1М 128К x8 70, 85, 100   85/85 5.0 10.0 3.0 5.0 32DIP JEDEC разводка
DS1249Y
DS1249AB		 2М 256Кx8 85, 100   85/85 5.0 10.0 3.0 5.0 JEDEC 32DIP
DS1258AB(1)
DS1258Y		 2М 128Кx16 70, 100 Входы #CEU и #CEL 170/170 10.0 20.0 6.0 10.0 40DIP
DS1658AB(1)
DS1658Y		 2М 128К x16 70, 100 Входы #CEU и #CEL По-блочная защита от записи 170/170 10.0 20.0 6.0 10.0 40DIP
DS1250AB(1)
DS1250Y		 4М 512Кx8 70, 100   85/85 5.0 10.0 3.0 5.0 JEDEC 32DIP, LPM(2)
DS1350AB(1)
DS1350Y		 4М 512Кx8 70, 100 Мониторинг питания, сигналы #RST, #BW 85/85 0.3 0.6 0.1 0.15 LPM(2)
DS1650AB(1)
DS1650Y		 4М 512К x8 70, 85, 100 По-блочная защита от записи, вывод #PFO(4) 85/85 5.0 10.0 3.0 5.0 JEDEC 32DIP, LPM(2)
DS2227 4М 8, 16 или 32 70, 100, 120 Селективная организация 280/-         SIMM модуль

Примечания: 1. Допустимые отклонения VCC не более ±5%.

2. Модуль общей высотой 6.35 мм. Устанавливается в стандартный 68-выводной разъем с поверхностным монтажом.

3. Отличается от DS1645AB и DS1645Y только разводкой выводов.

4. Вывод #PFO присутствует только в LPM.

Энергонезависимые полностью статические ОЗУ перекрывают диапазон емкости от 16 Кбит до 4 Мбит с 8-разрядной, в основном, организацией и временем обращения 70...200 нс. Энергонезависимость приборов обеспечивается тем, что в каждый прибор встроен автономный источник энергии и схема управления, постоянно отслеживающая соответствие напряжения питания необходимым требованиям.

При выходе напряжения питания за оговоренные пределы автоматически подключается внутренний источник энергии, позволяющий сохранить записанные данные, и включается защита, предохраняющая данные от повреждения. Создание описываемых энергонезависимых СОЗУ стало возможным с освоением производства малогабаритных литиевых источников энергии. Использование для реализации энергонезависимых СОЗУ КМОП технологии, обеспечивающей малое потребление прибора в пассивном режиме, с литиевыми батареями, имеющими на сегодняшний день наилучшую энергетическую емкость, позволило разработчикам фирмы гарантировать сохранение данных, при отсутствии внешнего питания, в течение как минимум 10 лет. Количество циклов записи ограничений не имеет.

Архитектура приборов DS1630, DS1645, DS1650 и DS1658 позволяет организовать безусловную защиту от случайной перезаписи данных, находящихся в заданных пользователем блоках матрицы памяти. Кроме того LPM корпуса этих приборов оснащены дополнительным выходом (#PFO) на который выводится сигнал предупреждения о несоответствии VCC требуемым параметрам.

Приборы DS1330, DS1345 и DS1350 содержат дополнительную схему контроля состояния VCC и встроенной литиевой батареи. Большинство описываемых приборов, выпускается в виде DIP модулей с разводкой и посадочными размерами соответствующими JEDEC корпусам и непосредственно заменяют стандартные 8-разрядные СОЗУ. Разводка выводов DIP модулей совпадает с разводкой выводов популярных перепрограммируемых приборов типов 27XX и 28XX, что позволяет очень просто заменить перепрограммируемые приборы на энергонезависимые СОЗУ фирмы Dallas Semiconductor и этой заменой повысить характеристики системы в целом. Для организации интерфейса с ИС микропроцессоров дополнительных схем поддержки не требуется.

Кроме того, версии ряда приборов, ориентированные на технологию поверхностного монтажа, выпускаются в виде невысоких (общей высотой 6.35 мм) модулей с выводами, расположенными по двум противоположным сторонам модуля. Они могут быть установлены в стандартные 68-выводные PLCC колодки для поверхностного монтажа. Шестнадцатиразрядные приборы, выпускаемые в виде 40-выводных модулей с успехом могут использоваться в тех применениях, в которых 16-разрядные СОЗУ формируются из нескольких ИС.


 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники