Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Микросхемы > Maxim > ШИМ-регуляторы |
|
||||||||||||
MAX764, MAX765, MAX766-5 В/-12 В/-15 В, или регулируемые, высокоэффективные DC/DC инверторы с низким потребляемым током покояОтличительные особенности:
Области применения:
Типовая схема включения: Расположение выводов: Описание: Инвертирующие импульсные стабилизаторы напряжения MAX764/MAX765/MAX766 имеют высокую эффективность преобразования в широком диапазоне токов нагрузки, и обеспечивают нагрузочную способность до 1.5 Вт. Уникальная схема управления с ограничением тока и частотно – импульсной модуляцией (ЧИМ) объединяет преимущества традиционных ЧИМ конверторов, с достоинствами конверторов, основанных на широтно – импульсной модуляции (ШИМ). Как и конверторы с ШИМ, MAX764/MAX765/MAX766 имеют высокую эффективность преобразования при больших нагрузках. Но, поскольку, они являются ЧИМ – преобразователями, то они потребляют ток менее 120 мкА, а не 2…10 мА, как аналогичные устройства с ШИМ. Диапазон входных напряжений составляет от 3 В до 16 В. ИС имеют следующие фиксированные выходные напряжения: -5 В (MAX764), -12 В (MAX765), -15 В (MAX766), но все они могут использоваться в режиме регулируемого (Dual-Mode TM) , с помощью двух внешних резисторов, выходного напряжения от –1 В до –16 В. Максимальная разность рабочих напряжений VIN – VOUT составляет 20 В. Данные ИС используют миниатюрные внешние элементы. Высокая частота преобразования (до 300 кГц) позволяет использовать миниатюрные дроссели поверхностного монтажа, менее 5 мм в диаметре. Стандартный дроссель 47 мкГн идеально подходит для большинства приложений, т.е. нет необходимости в расчете индуктивности дросселя. Встроенный силовой MOSFET делает ИС MAX764/MAX765/MAX766 идеальным выбором для реализации приложений малой и средней мощности с минимальным числом компонентов. При необходимости реализации приложений с повышенным уровнем мощности, или с более высокими выходными напряжениями, возможно использование ИС MAX774/MAX775/MAX776 или MAX1774, которые управляют внешним, силовым, P- канальным MOSFET транзистором, и обеспечивают нагрузочную способность до 5 Вт. Документация:
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|