HY27(U/S)SXX561M

256 Мбитная NAND Flash память

Характеристики:

• NAND FLASH память большого объема
      - Эффективное по стоимости решение для приложений хранения больших массивов данных
• NAND интерфейс
      - Ширина шины x8 или x16
      - Мультиплексирование шины адреса/данных
      - Совместимость по выводам с микросхемами памяти различного объема
• Напряжение питания
      - 3.3 В приборы: V_CC = от 2.7 до 3.6 В: HY27USXX561M
      - 1.8 В приборы: V_CC = от 1.7 до 1.95 В: HY27SSXX561M
• Блочная организация памяти
      - 256 Мбит = 528 байт x 32 страницы x 2 048 блоков
• Размер страницы
      - x8 приборы: (512 + 16 резервных) байт: HY27US08561M
      - x16 приборы: (256 + 8 резервных) слов: HY27US16561M
• Размер блока
      - x8 приборы: (16 КБ + 512 резервных) байт
      - x16 приборы: (8 КБ + 256 резервных) слов
• Постраничное чтение/запись
      - Произвольный доступ: 10 мкс (макс)
      - Последовательная выборка: 50 нс (мин)
      - Время записи страницы: 200 мкс (тип)
• Режим обратного копирования
      - Высокоскоростное копирование без внешней буферизации
• Кэширование при записи
      - Внутренний кэш-регистр для повышения пропускной способности при записи
• Быстрое стирание блоков
      - Время стирания блока: 2 мс (тип)
• Регистр состояния
• Электронная подпись
• Опция игнорирования сигнала активизации микросхемы
      - Простой интерфейс с микроконтроллером
• После включения автоматическая установка для чтения нулевой страницы
      - Поддержка загрузки из NAND памяти
      - Автоматическая загрузка памяти
• Опция заводского номера
• Аппаратная защита данных
      - Блокировка записи/стирания при изменении напряжения питания
• Целостность данных
      - 100 000 циклов записи/стирания
      - Хранение данных более 10 лет
• Корпусное исполнение
      - HY27US (08/16) 561M-T (P): 48 контактный 12x20x1.2 мм TSOP1
      - HY27US (08/16) 561M-T (с выводами)
      - HY27US (08/16) 561M-ТР (без выводов)
      - HY27US08561M-V (P): 48 контактный 12 x 17 x 0.7 мм WSOP1
      - HY27US08561M-V (с выводами)
      - HY27US08561M-VP (без выводов)
      - HY27 (U/S) S (08/16) 561M-F (P): 63 контактный 9.0x11x1.0 мм FBGA
      - HY27US (08/16) 561M-F (с выводами)
      - HY27US (08/16) 561M-FP (без выводов)
      - HY27SS (08/16) 561M-F (с выводами)
      - HY27SS (08/16) 561M-FP (без выводов)

Блок- схема:

Общее описание:

HY27(U/S)SXX561M - семейство энергонезависимой Flash памяти, построенной по NAND технологии. Приборы работают от 3.3 и 1.8 В питания. В зависимости от ширины шины (x8 или x16), приборы имеют размер страницы 528 байт (512 + 16 резервных) или 264 слова (256 + 8 резервных).

Шина адреса мультиплексируется с линиями ввода/вывода данных на x8 или x16 разрядную шину. Такой интерфейс позволяет уменьшить количество используемых выводов и обеспечить совместимость по выводам микросхем с различным объемом памяти.

Каждый блок может записываться и стираться более 100 000 раз. Для повышения срока службы NAND Flash памяти рекомендуется использовать код коррекции ошибок (ЕСС). Микросхемы имеют вывод аппаратной защиты от записи/стирания.

Приборы имеют выход с открытым стоком сигнала занятости Ready/Busy, который может использоваться для определения состояния контроллера записи/стирания/чтения (PER). Выход с открытым стоком позволяет подключать выходы индикации занятости от нескольких микросхем при помощи одного подтягивающего резистора к одному выводу микроконтроллера.

Для оптимизации обслуживания дефектных блоков имеется команда Copy Back. Если операция записи страницы не прошла, то можно записать данные в другую страницу без дополнительной пересылки данных.

Все микросхемы имеют встроенную кэш-память, которая позволяет повысить скорость записи больших объемов данных. Данные можно загружать в кэш-память уже тогда, когда предыдущие данные еще находятся в буфере страницы и записываются непосредственно в память.

Приборы доступны в следующих корпусах:

• 48-TSOP1 (12 x 20 x 1.2 мм)
• 48-WSOP1 (12 x 17 x 0.7 мм)
• 63-FBGA (9.0 x 11 x 1.0 мм, 6 x 8 шариковых контактов с шагом 0.8 мм)

У микросхем семейства NAND Flash памяти имеется три опции:

- Automatic Page 0 Read after Power-up -Автоматическая установка для чтения нулевой страницы, что позволяет микроконтроллеру принимать загрузочный код с нулевой страницы.

- Chip Enable Dont Care - Опция игнорирования сигнала выбора чипа, которая позволяет микроконтроллеру непосредственно загружать код, так как изменение состояния вывода выбора чипа в течение времени ожидания не прервет операцию считывания.

- Serial Number - Опция заводского номера, которая позволяет идентифицировать приборы. Опция серийного номера является опцией не для всеобщего использования (NDA) и поэтому в данном техническом описании не раскрывается. Для получения информации необходимо заключить договор о неразглашении с ближайшим офисом компании HYNIX.

Документация:

656Kb Engl Описание микросхемы

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи