AT29BV010A

1 Mb (128КБx8) память Flash с напряжением батареи 2.7В

Свойства

• Отдельное напряжение питания 2.7В…3.6В
  
• Отдельное питание для чтения и записи
  
• Программно защищенное программирование
  
• Быстрое время доступа для чтения - 200 нс
  
• Малое рассеяние мощности
      - активный ток 15 мА
      - ток в режиме ожидания КМОП 40 мкА
  
• Операция программирования сектора
      - отдельный цикл перепрограммирования (уничтожение и программирование)
      - 1024 сектора (128 байт/сектор)
      - внутренний фиксаторы адреса и данных для 128 байт
  
• Два 8КБайтных блока начальной загрузки с блокировкой
  
• Быстрое время цикла программирования сектора - максимум 20 мс
  
• Внутреннее программное управление и таймер
  
• Опрос DATA на обнаружение конца программы
  
• Типовой срок службы > 10,000 циклов
  
• Совместимые входы и выходы КМОП и ТТЛ
  
• Коммерческие и промышленные диапазоны температуры
  

Описание

AT29BV010A - внутри системная Flash, программируемая и стираемая память только для чтения (PEROM), рассчитанная только на 2.7В. 1 мегабита памяти организованы как 131.072 слова по 8 бит. Произведенный по улучшенной энергонезависимой технологией КМОП EEPROM фирмы Atmel, элемент предлагает времена доступа 200 нс и низкое рассеяние мощности 54 мВт. Когда отменён выбор элемента, КМОП ток в режиме ожидания - меньше чем 40 мкА. Срок службы элемента - такой, что любой сектор может записываться порядка 10.000 раз. Алгоритм программирования совместим с другими элементами семейства низко вольтных Flash произведённых фирмой Atmel.

Конфигурация контактов

Документация:

143 Kb Engl Описание микросхемы

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи