TS81102G0
8/10-разрядный демультиплексор 1:4/8 на 2 ГГц
Отличительные особенности:
- Программируемый коэффициент демультиплексирования:
– 1:4: Макс. скорость преобразования - 1 млрд. преобр. в сек.
– Рассеиваемая мощность (8/10 разрядов): не более 4.3/4.7 Вт (50-Омный ЭСЛ-выход)
– 1:8: Макс. скорость преобразования - 2 млрд. преобр. в сек.
– Рассеиваемая мощность (8/10 разрядов): не более 6/6.9 Вт (50-Омный ЭСЛ-выход)
– 1:16 с одной TS8388B или один TS83102G0B + 2 демультиплексора
- Режим параллельного вывода данных
- 8/10 разрядов
- Дифференциальный ЭСЛ-совместимый ввод данных
- Вход синхронизации (готовность данных АЦП) с делением на два или без деления
- Регулировка задержки входа синхронизации преобразования
- Вывод данных на несимметричных транзисторных каскадах:
– Регулируемые синфазный сигнал и размах
– Опорный выход порогового логического уровня
– (ЭСЛ, ПЭСЛ, ТТЛ)
- Асинхронный сброс
- Синхронный сброс
- Специальный узел для приложений с использованием АЦП вместе с демультиплексором:
– Узел автономной регулировки задержки для выравнивания момента преобразования АЦП
- Дифференциальный выход готовности данных
- Встроенный блок самодиагностики (BIST)
- Двойное питание VEE = -5В, VCC = +5В
- Стойкость к радиации (более 100 кРад)
- Корпус TBGA 240
Структурная схема TS83102G0B:
Общее описание:
TS81102G0 – 10-разр. высокоскоростной (до 2 ГГц) демультиплексор, разработанный для совместной работы с высокопроизводительными АЦП, в т.ч. 8-разр. АЦП Atmel TS8388B с частотой преобразования 1 млрд. преобразований в секунду и 10-разр. АЦП TS83102G0B с частотой преобразования 1 млрд. преобразований в секунду.
TS81102G0 использует оригинальную архитектуру, которая позволяет подстраивать длительность задержки выборки и регулировать выходные уровни. Демультиплексор позволяет пользователю обрабатывать быстродействующий поток данных на процессорной скорости и использует сверхбыстродействующую биполярную технологию (предельная частота NPN-транзистора 25 ГГц).
Информация для заказа:
| Код заказа |
Корпус |
Температурный диапазон |
Примечание |
| JTS81102G0-1V1A |
Кристалл |
Темп. окружающей среды |
|
| TS81102G0CTP |
TBGA 240
"C"-тип |
0°C < Tc; Tj < 90°C |
|
| TS81102G0VTP |
TBGA 240
"V"-тип |
-40°C < Tc; Tj < 110°C |
|
| TSEV81102G0TPZR3 |
TBGA 240 |
Темп. окружающей среды |
Оценочная плата, поставляемая вместе с теплоотводом |
Документация:
| |
 |
325 Kb Engl Описание микросхемы |
