A29DL16x
Серия КМОП флэш-памяти размером 16 Мбит (2M x 8-бит/1M x 16 бит) с питанием только 3,0В и одновременностью чтения/записи
Отличительные особенности:
Преимущества архитектуры:
- Одновременность чтения/записи
- - Данные могут непрерывно считываться из одного банка, а в это время в другом банке может выполняться стирание или программирование
- - Нулевая задержка между чтением и записью
- Архитектура с разделением памяти на банки
- - Три представителя серии доступны с различными размерами банков (см. таблицу 2)
- Корпуса
- - 48-выводной TFBGA
- - 48-выводной TSOP
- Загрузочный блок в начале или в конце памяти
- Выпускается по технологии 0,18 мкм
- - Совместимость с микросхемами A29DL16xC/ A29DL16xD
- Совместимость со стандартами JEDEC
- - Совместимость по расположению выводов и программированию со стандартной флэш-памятью, питаемой от одного источника
Рабочие характеристики:
- Высокие рабочие характеристики
- - Время доступа 70 нс
- - Время программирования: 7 мкс/слово с помощью функции ускорения
- Сверхмалое потребление (ниже приведены типичные значения)
- - 2 мА
- - ток активного чтения на частоте 1МГц
- - 10 мА
- - ток активного чтения на частоте 5 МГц
- - 200 нА в дежурном режиме или в режиме автоматического выключения
- Гарантируется минимум 1 миллион циклов перезаписи для каждого сектора
- Сохранность данных в течение 20 лет при температуре 125°C
- - надежность работы в течение всего срока службы системы
Отличительные особенности программного обеспечения:
- Поддержка интерфейса флэш-памяти CFI
- Приостановка стирания/возобновление стирания
- - Приостановка операции стирания, чтобы разрешить программирование в том же банке
- Программная команда временного снятия защиты с сектора/блока сектора
- Команда программной защиты или снятия защиты сектора
- Опрос данных и инвертирующиеся биты
- - Представляет собой программный способ определения состояния циклов программирования или стирания
- Команда программирования с сокращенным количеством шинных циклов "Unlock Bypass"
- - Снижает общее время программирования за счет ввода нескольких команд программирования
Отличительные особенности аппаратной части:
- Стирание любого сочетания секторов
- Выход готовность/занято (RY/BY)
- - Аппаратный метод определения завершения цикла стирания или программирования
- Вывод аппаратного сброса (RESET)
- - Аппаратный метод сброса внутреннего цифрового автомата для считывания массива данных
- Вход WP /ACC (защита от записи/ускорение)
- - Функция защиты от записи (WP) позволяет защитить два самых крайних сектора, независимо от состояния защиты сектора
- - Функция ускорения (ACC) позволяет повысить быстродействие программирования
- Защита сектора
- - Аппаратный метод защиты сектора, который реализуется внутрисистемно или с помощью оборудования для программирования, для предотвращения программирования или стирания в пределах данного сектора
- - Временное снятие защиты сектора позволяет изменить данные в защищенном секторе внутрисистемно
Структурная схема:
Условное графическое обозначение:
Расположение выводов:
Общее описание:
Семейство A29DL16x составляют микросхемы флэш-памяти емкостью 16 Мбит, организацией памяти 1,048,576 слов по 16 бит в каждом или 2,097,152 байт по 8 бит в каждом. В словном режиме данные присутствуют на выводах I/O0-I/O15, а в байтном режиме - на I/O0-I/O7. Память рассчитана на внутрисистемное программирование при питании стандартным напряжением VCC=3В, а также может программироваться с помощью стандартного программатора ЭППЗУ.
Доступны микросхемы с временами доступа 70, 90 или 120 нс. Они выпускаются 48-выводных корпусах TSOP и в корпусах BGA с 48 сферическими выводами. Управление записью и чтением осуществляется с помощью стандартных сигналов управления: CE - выбор микросхемы, WE- разрешение записи и OE - разрешение вывода (чтение).
Для работы флэш-памяти достаточно одного питания 3,0В, как для чтения, так и для записи. Необходимое повышенное напряжение для программирования и стирания генерируется внутренне.
Одновременность чтения/записи с нулевой задержкой
Одновременность чтения и записи достигается за счет разделения памяти на два банка. Общие системные рабочие характеристики могут быть улучшены за счет возможности программирования или стирания в одном банке и сразу после инициации этого одновременного считывания из другого банка с нулевой задержкой. Этим система освобождается от необходимости ожидания завершения программирования или стирания.
Микросхемы A29DL16x используют архитектуру с несколькими размерами банков, чем достигается гибкость для проектирования приложений. В состав данной серии входят три микросхемы со следующими размерами банков памяти:
| Микросхема |
Банк 1 |
Банк 2 |
| DL162 |
2 Мбит |
14 Мбит |
| DL163 |
4 Мбит |
12 Мбит |
| DL164 |
8 Мбит |
8 Мбит |
Микросхемы поддерживают стандартный набор команд JEDEC для флэш-памяти с одним питанием. Команды помещаются в командный регистр с помощью стандартной временной последовательности записи микроконтроллера. Считывание данных выполняется подобно считыванию из других микросхем флэш-памяти и ЭППЗУ.
Процессорное устройство может определить завершение программирования или стирания с помощью бит статуса: вывод RY/BY, I/O7 (опрос данных) и I/O6/I/O2 (переключающиеся биты). По завершении цикла программирования или стирания микросхемы автоматически возвращается к считыванию массива данных.
Архитектура посекторного стирания позволяет стереть или перепрограммировать секторы памяти без повреждения содержимого других секторов. Завод-изготовитель поставляет микросхему в стертом состоянии.
Функция аппаратной защиты данных выполняет детекцию снижения VCC и автоматически прерывает запись в переходных режимах питания. Аппаратная защита сектора позволяет заблокировать программирование и/или стирание в любом сочетании секторов памяти. Это выполняется либо внутрисистемно, либо с помощью программатора.
Микросхемы поддерживают две энергосберегающие функции. После того, как в установленное время адрес стабилизируется, микросхема переходит в автоматический режим отключения. Система может также перевести микросхему в дежурный режим. В обоих данных режимах потребление снижается существенно.
Описание выводов:
| Наименование вывода |
Описание |
| A0 - A19 |
Адресные входы |
| I/O0 - I/O14 |
Ввод/вывод данных |
| I/O15 (A-1) |
I/O15 -ввод/вывод данных в словном режиме/ A-1 - входы младшего байта адреса в байтном режиме |
| CE |
Разрешение работы микросхемы |
| WE |
Разрешение записи |
| OE |
Разрешение вывода |
| WP/ACC |
Аппаратная защита от записи/вывод ускорения |
| RESET |
Вывод аппаратного сброса с активным низким уровнем |
| BYTE |
Выбор 8-разр. или 16-разр. режима |
| RY/BY |
Выход сигнализации готов/занято |
| VSS |
Общий |
| VCC |
Напряжение питания 3,0В |
| NC |
Вывод внутренне не подключен |
Информация для заказа:
| Код заказа |
Банк 1 |
Банк 2 |
Время доступа, нс |
Потребление при чтении, мА |
Потребление при программировании/
стирании, мА |
Потребление в дежурном режиме |
Корпус |
| Мбит |
Секторы |
Мбит |
Секторы |
| A29DL162TV-70 |
2 |
8х8кБ/ 4кслова + 3х64кБ/ 32кслова |
16 |
28х64кБ/ 32кслова |
70 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL162TG-70 |
48-выв. TFBGA |
| A29DL162TV-80 |
80 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL162TG-80 |
48-выв. TFBGA |
| A29DL162TV-90 |
90 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL162TG-90 |
48-выв. TFBGA |
| A29DL162TV-120 |
120 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL162TG-120 |
48 pin TFBGA |
| A29DL163TV-70 |
4 |
8х8кБ/ 4кслова + 7х64кБ/ 32кслова |
12 |
24х64кБ/ 32кслова |
70 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL163TG-70 |
48-выв. TFBGA |
| A29DL163TV-80 |
80 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL163TG-80 |
48-выв. TFBGA |
| A29DL163TV-90 |
90 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL163TG-90 |
48-выв. TFBGA |
| A29DL163TV-120 |
120 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL163TG-120 |
48-выв. TFBGA |
| A29DL164TV-70 |
8 |
8х8кБ/ 4кслова + 15х64кБ/ 32кслова |
8 |
16х64кБ/ 32кслова |
70 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL164TG-70 |
48-выв. TFBGA |
| A29DL164TV-80 |
80 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL164TG-80 |
48-выв. TFBGA |
| A29DL164TV-90 |
90 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL164TG-90 |
48-выв. TFBGA |
| A29DL164TV-120 |
120 |
10 |
20 |
0.2 |
48-выв. TSOP |
| A29DL164TG-120 |
48-выв. TFBGA |
Документация:
| |
 |
740 Kb Engl Описание микросхем |
