Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Электромеханика > NAIS > Реле

реклама

 




Мероприятия:




СПЕЦИФИКАЦИЯ (Реле серии HP)

Контакты (при 20°C)

Тип контактов 2 перекидных 3 перекидных 4 перекидных
Материал контактов Серебро Серебряный сплав
Начальное сопротивление контактов, макс.
(при падении напряжения 6V DC 1A)
15 m ohm
Номинальные характеристики (резистивная нагрузка) Номинальные параметры коммутации 10 A 250 V AC

Характеристики (при 60 Hz, 20°C)

Тип контактов 2 перекидных 3 перекидных 4 перекидных
Максимальная скорость коммутации 20 cpm
Начальное сопротивление изоляции*1 Более 100M ohm (при 500V DC)
Начальное напряжение пробоя*2 Между открытими контактами 1000 Vrms. 2000 Vrms. 1000 Vrms.
Между группами контактов 1500 Vrms. 2000 Vrms. 1500 Vrms.
Между контактами и катушкой 1500 Vrms. 2000 Vrms. 1500 Vrms.
Время срабатывания*3 (при номинальном напряжении) 15ms 25ms
Время отпускания (без гасящего диода)*3
(при номинальном напряжении)
15ms 25ms
Перегрев Макс. 65°C
Ударопрочность При работе*4 98 м/с2 {10 G}
При транспортировке*5 980 м/с2 {100 G}
Вибростойкость При работе*6 58.8 m/s2 {6 G},
от 10 до 55 Hz
двойной амплитудой в 1 мм
При транспортировке 117.6 m/s2 {12 G},
от 10 до 55 Hz
двойной амплитудой в 2 мм
Условия работы, транспортировки и хранения (Без замерзания и наличия конденсата при низкой температуре) Температура окружающего воздуха От -50°C до +40°C
Влажность От 5 до 85%
Масса изделия 60 гр. 100 гр. 125 гр.
Примечания:
* Значения могут отличаться в зависимости от различных стандартов.
*1 Измерение аналогично разделу "Начальное напряжение пробоя"
*2 Измеряемый ток: 10mA
*3 Без учета дребезга контактов
*4 Время полупериода импульса: 11ms; время размыкания: 10ms
*5 Время полупериода импулься: 6ms
*6 Время размыкания: 10ms




 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники