Чувствительность к ESD (электростатическому разряду) и способы защиты

Все MOSFET и IGBT модули чувствительны к ESD, так как толщина изоляции затвора составляет несколько десятков нанометров. Степень чувствительности зависит от значения входной емкости (MOSFET: емкость СGS затвор-исток / IGBT: емкость СGE затвор-эмиттер).

IGBT и силовые MOSFET с большими площадями кристаллов характеризуются большими входными емкостями и относятся к менее чувствительным, по сравнению с маломощными компонентами, в соответствии со стандартом MIL-STD 883С, 3015.6.

В отношении к обращению с IGBT и MOSFET, нужно также придерживаться упомянутого MIL стандарта, а также DIN VDE 0843 TS, который идентичен с IEC 801-2.

Исследование и дальнейшая обработка должны проводиться только в специально подготовленных рабочих местах с токопроводящими столами, заземлениями и т.п. персоналом в соответствующей одежде (антистатические халаты, заземление на запястье, если есть). Все оборудование для сборки и транспортировки а также печатные платы должны отвечать требованиям ESD.

Силовые модули поставляются с закороченными выводами затвора и истока (MOSFET) или затвора и эмиттера (IGBT) при помощи проводящего пенопласта или резины, в соответствующей токопроводящей упаковке. Такое короткое замыкание должно оставаться как можно дольше до подключения затвора.

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи