Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Данные управления и обратная связьСледующая таблица содержит наиболее часто используемые единицы передачи с и без изоляции потенциалов и их возможности.
При помощи дополнительных цепей импульсный трансформатор способен передавать сигналы обратной связи как постоянную информацию во время разрывов в работе драйвера (напр. мертвая зона в полумостовых схемах); волоконно-оптическая связь, оснащенная двойными передатчиками / приемниками может работать так же само. Аналоговые выходные сигналы могут поступать назад с драйвера в основные цепи управления, например при импульсной модуляции с помощью импульсных трансформаторов, оптопар или волоконно-оптической связи. Изоляция потенциалов уже имеется в датчиках тока на основе датчиков Холла или компенсационных магнитных датчиков.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|