Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Пути распространенияДля проведения измерений радиопомех селективно измеряются флуктуации напряжения в местах соединения сети инвертора и общей шины. Потенциал флуктуаций относится к определенной точке общей шины, которая определяется при стандартных измерениях с помощью схемы стабилизации импеданса сети. Что касается симметричных и асимметричных токов помех в диапазоне частот радиопомех, все простые низкочастотные элементы коммутации снабжаются дополнительными индуктивностями сопротивлениями и емкостями, которые сделают чище моделирование от его частотной зависимости. На рис.3.26 показан пример простой схемы понижающего преобразователя, в которой цепь 1 представлена схемой линейной стабилизации импеданса (LISN) и цепь 2 - приложенная нагрузка, в отличие от рис.3.25.
Модели ключей S1 и S2 модуля состоят из коммутационных индуктивностей и емкостей. Возникновение токов помех, описанных ранее, показано в упрощенном виде, а именно как источник тока IS для симметричных токов помех, и как источник напряжения VS для асимметричных токов помех. В двух источниках характеристики полупроводника показаны как функции от времени (рис.3.27). На рис.3.28 показаны результаты моделирования на примере, взятом из [193], и основанном на модели из рис.3.26; эти результаты наиболее полно соответствуют реально взятым измерениям. Воздействие дополнительных путей распространения через энергетические и информационные линии передачи цепей драйвера разъяснено в [299].
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|