Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Конструкция силовой частиMOSFET, IGBT или SkiiP силовые схемы сконструированы по печатной технологии, с помощью проводников или массивных медных или алюминиевых шин, в зависимости от коммутирующих токов или напряжений. Кроме ознакомления с основными спецификациями, например при требовании к утечке по поверхности, расстоянию для образования дуги или плотности тока, требование к короткому времени коммутации в нано- и микросекундном диапазоне усложняет силовую конструкцию, что также относится и к высокочастотным требованиям.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|