Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Потери мощности в понижающем преобразователеНа рис.3.2 представлена схема понижающего преобразователя с диаграммами работы на активно-индуктивную нагрузку.
В установившемся режиме работы схемы рассеиваемую мощность в определенной рабочей точке можно рассчитать: IGBT Рассеиваемая мощность при включении: Pon/T = fs · Eon/T(vD, iLL, Tj/T) Рассеиваемая мощность при выключении: Poff/T = fs · Eoff/T(vD, iLH, Tj/T) Рассеиваемая мощность в открытом состоянии: Пренебрежение выбросом тока нагрузки приведет к:
Обратный диод Рассеиваемая мощность при выключении: Poff/D = fs · Eoff/D(vD, iLH, Tj/D) Рассеиваемая мощность в открытом состоянии: Пренебрежение выбросом тока нагрузки приведет к:
Расчет рассеиваемой мощности для IGBT и диода в открытом состоянии основан на идеальном рабочем цикле (пренебрегая временем коммутации в общей продолжительности цикла). Выбранные соотношения для рассеиваемой энергии при коммутации также для падения напряжения на IGBT и диоде приведены в технических данных (см. п.2)
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|