Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Специальные параметры для MiniSKiiPКроме IGBT и диодов для инверторов и диодных ключей (или тиристоров) для входных выпрямителей, эти устройства также интегрированы в MiniSKiiP. Дополнительно к прямым и обратным характеристикам (максимальные значения, характеристики), следующие параметры определены для MiniSKiiP: Выброс тока выпрямительных диодов IFSM Импульсное значение синусоиды 50 Гц, которую способны выдержать диоды без пробоя, если это происходит не так часто. Интеграл выброса тока выпрямительных диодов на нагрузке i2dt Номинальное значение для выбранных предохранителей, которое можно вычислить как: i2dt IFSM 2 · T/4 = 5 · 10-3s · IFSM 2 (@ f = 50 Гц) Коэффициент сопротивления/температуры датчика температуры Особенности датчиков тока
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|