Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Сборка и технология подключения: типы корпусовКорпуса выпускаемых модулей содержат 1.7 MOSFET или IGBT ключей часто содержат винтовые, штекерные или припаиваемые выводы. В большинстве транзисторных модулей разные производители стремятся обеспечить большую совместимость с частично исторически разработанными устройствами (рис.1.57). Высокоинтегрированные модули (например SKiiPPACK, MiniSKiiP) не будут рассматриваться ниже.
Наибольшая степень стандартизации приходится на типы модуля с винтовыми выводами. Основное питание можно подключать шиной или многослойным монтажом. Часто делают дополнительные выводы для управления и элементов датчиков (например управляющий эмиттер, датчик-коллектор) для минимального влияния падения напряжения на индуктивности в основной цепи при коммутации, особенно на внутренних проводах. Дополнительные источники часто выполнены как 2,8 мм разъемные плоские контакты, иногда также с винтовым соединением. Для маломощных модулей использование 6.3 мм или 2.8 мм разъемных плоских контактов для силовых и цепей управления, соответственно, очень распространено в настоящее время. Получили распространение припаиваемые модули для печатного монтажа (например, SEMITOP, ECONOPACK), так как они имеют преимущества при автоматизации процесса изготовления, наладке. Оптимизированная разводка выводов обеспечивает низкоиндуктивную сборку, и можно пропускать токи до 100 А при параллельной пайке нескольких выводов. Поэтому может быть проблематичной разводка (для больших токов) и малые токи утечки на плате.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|