Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Заданный мягкий режим в случае отказа модуляПри поломке модуля (вероятно вызванной плохим драйвером) будет передана общая энергия, сохраненная в электролитических конденсаторах, например, во внешних цепях питания. После перегорания внутренних проводов эта энергия сохраняется прямо в возникшей дуге, из-за которой модуль взрывается. В обычных транзисторных модулях это может повлечь разрыв цепи, короткое замыкание основных выводов или даже пробой изоляции; дуга и частицы корпуса могут распространиться вокруг модуля с большой кинетической энергией. При специальной конструкции корпуса опасность можно снизить и распространение частиц направить в определенную сторону. Последние разработки в этой области гарантируют, например, что до определенного уровня энергии около 15 кДж частицы модуля не распространяются вокруг; даже при 20 кДж корпус может пробиться, но никаких твердых металлических частиц не проникнет в окружающее пространство [196].
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|