Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Параллельное включениеПри параллельном включении не требуется дополнительные RC-цепи. При этом важно, чтобы различия в падениях напряжений были минимальными. Решающим параметром для параллельного включения является температурная зависимость падения напряжения. Если падение напряжения уменьшается при возрастании температуры, температурная зависимость будет отрицательной, только одно преимущество которой состоит в балансе потери мощности. Если падение напряжения растет при возрастании температуры, температурная зависимость будет положительной.
Преимущества положительной температурной зависимости можно реализовать в специальных параллельных системах, так как у нагретого диода носителей тока меньше и система более стабильна. Отрицательный температурный коэффициент (> 2 мВ/К) вызовет температурную нестабильность при параллельном соединении диодов, при котором всегда имеется разброс падений напряжения, возникающий в процессе изготовления. Параллельные диоды термически соединяются
В принципе, при умеренно отрицательном температурном коэффициенте, эффект термической связи будет необходим для избежания температурных разбросов диода при максимальном падении напряжения. Для диодов с отрицательным температурным коэффициентом > 2 мВ/К мы рекомендуем выбрать нижнее номинальное значение тока, которое может достичь ток отдельного диода (снижение номинальных значений).
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|