Динамическая устойчивость

Во время роста зоны пространственного заряда, дырочный ток I_R протекает через пустую n^- зону. Следовательно, плотность р-дырок будет:

р = I_R/qv_dA        1.12)

В этом уравнении v_d - скорость дрейфа (7,57 · 10⁶ см/с) и А - площадь диода. Плотностью дырок (показанной на рис.1.30 и рис.1.31 от t₂ до t₄) более нельзя пренебрегать, учитывая основной уровень примеси [288]. Р добавляется к положительно заряженным донорам ND, эффективная примесь N_eff в этот момент:

N_eff = N_D + р        (1.13)

Это вызовет преждевременный лавинный пробой. Электроны и дырки будут создаваться на pn- переходе динамической лавиной. Дырки будут двигаться через высокопримесную р-зону. С другой стороны, электроны будут проходить через n^- зону, вызывая эффект примеси:

N_eff = N_D + р - n_av        (1.13)

Здесь n_av обозначает плотность электронов, созданных динамической лавиной, которые движутся из pn - перехода через зону пространственного заряда, частично компенсируя плотность дыр и, тем самым, противодействуя лавинному эффекту. В [289] динамическая лавина разработана для ограничения: для управления напряженностью поля, при уменьшении эффективной примеси. Соответственно, динамическая лавина не выведет диод, из строя.

Уменьшенный прямой ток вызовет уменьшение обратного тока и плотности дырок р (в соответствии с (1.12)). Но так как коммутирующие устройства имеют более высокую dV/dt при меньших токах, воздействие от динамической лавины может быть больше при малых токах. Для диодов, рассчитанных на высокие обратные напряжения, - возрастет благодаря расширенной w_B. Это вызовет большие обратные токи, которые приведут к возрастанию плотности дырок и к динамической лавине (1.12). Но в этом случае динамическая устойчивость очень важна.

<-- Предыдущая страница

Оглавление

Следующая страница -->