Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов |
|
||||||||||||
Требования к обратным и снабберным диодамДля современные быстрых коммутационных устройств требуются быстрые обратные диоды. При каждом включении ключа обратный диод коммутируется от проводящего к запертому состоянию. При этом диод должен обеспечить мягкое переключение. Долгое время важность быстрых диодов недооценивали. Выполнение ключа было ухудшено обратными диодами. За последние несколько лет значительный прогресс стал возможен благодаря внедрению обратно - восстановительного режима.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|