Программирование Flash и EEPROM памяти

Микроконтроллеры ATmega603/103 оснащены внутрисистемно программируемой Flash памятью, емкостью 64/128 Кбайт, и 2/4 Кбайтами EEPROM памяти данных. При поставке микроконтроллеров и встроенная Flash память программ и EEPROM память данных находятся в очищеном состоянии (т.е. содержимое в состоянии $FF) и они готовы к программированию. Приборы поддерживают режим высоковольтного (12 В) параллельного программирования и режим низковольного последовательного программирования. Напряжение программирования 12 В используется только если программирование разрешено, в ином случае ток по этому выводу не потребляется. Режим последовательного программирования является обычным способом загрузки программ и данных в микроконтроллеры, находящиеся непосредственно в системе пользователя.

Матрица памяти программ микроконтроллеров ATmega603/103 организована из 256/512 страниц по 256 байт каждая. При программировании Flash памяти данные программы фиксируются в буфере страницы, что позволяет программировать сразу целую страницу данных программы в любом из режимов программирования.

Матрица EEPROM памяти данных микроконтроллеров программируется по-байтово (байт - за - байтом) во всех режимах программирования. В последовательном режиме программирования встроенная функция самотактирования EEPROM выполняет автоматическую предварительную очистку каждого программируемого байта.

<-- Предыдущая страница

Оглавление

Следующая страница -->

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи