Супервизоры напряжения питания для микроконтроллеров с изменяемой задержкой срабатывания фирмы ROHM

ROHM производит прецизионные микропотребляющие ИС супервизоров напряжения питания. В этом классе приборов можно выделить супервизоры с фиксированным временем задержки срабатывания, определяемым внутренним таймером-счетчиком (серия BD45xxx и BD46xxx) и супервизоры с изменяемым временем задержки, которое задается внешним конденсатором (серия BD52xx и BD53xx). Величины напряжений срабатывания фиксированы и изменяются в пределах от 2,3 В до 6 В с шагом 0,1 В.

Области применения

Схемы сброса для любых типов микроконтроллеров. Наиболее проста схема включения с микроконтроллерами со сбросом низким логическим уровнем, т.е. с инверсным входом RESET, для неинверсного входа RESET ( например, семейство MCS-51) требуется инвертор.
Детекторы величин напряжений с функцией задержки срабатывания.

Особенности

«Линейка» ИС с напряжениямисрабатывания от 2,3 В до 6 В с шагом 0,1 В.
Погрешность детектирования напряжения ±1%го входного напряжения.
Малый ток потребления – 850 нА.
Задержка срабатывания устанавливается внешним конденсатором (для серии BD52xx).
Выход – открытый сток N-канального транзистора (серии BD45xxx и BD52xx) либо КМОП выход (серии BD46xxx и BD53xx).

a)BD 52xx

б)BD 53xx
Рис. 1. Структурная схема на примере ИС серии BD 5xxx

Временные диаграммы и основные расчетные соотношения

Когда напряжение Vdd ниже порога срабатывания - величины Vdet + DVdet, транзистор Q3 открывается и разряжает времязадающий конденсатор, подключаемый к выводу “CT” .На инверсном выходе триггера Шмита устанавливается высокий логический уровень, а на выходе Vout микросхемы через время TPHLнизкий логический уровень. Когда напряжение Vdd равно или выше порога срабатывания, времязадающий конденсатор заряжается через внутренний резистор при запертом транзисторе Q3 и на выходе Vout микросхемы с задержкой TPLH установится высокий логический уровень. Необходимый гистерезис обеспечивается резистором R3 и составляет 0,05 Vdet. Временные диаграммы, поясняющия логику работы ИС, приведены на рис. 2

Рис. 2. Временные диаграммы

Задержка TPLH при превышении напряжения порога срабатывания определяется соотношением (1):

T_PLH = 0,69 C_CT R_CT, (1) где:

C_CT - емкость конденсатора, подключенного к выводу СТ

R_CT - сопротивление внутреннего резистора (типовое значение 9 Мом)

Таким образом, при C_CT = 0,047 мкФ задержка составит 292 мс. Задержка TPHL при снижении питающего напряжения менее порога срабатывания описывается более сложным соотношением (2):

T_PHL = T_A + T_B + T_C, (2) где:

T_A - время задержки, определяемое внешними элементами C_L и R_L (3).

T_B - время задержки, определяемое внешним конденсатором C_CT(4)

T_C - задержка, вносимая микросхемой, составляет около 21 мкс.

, (3)

где: V_det - напряжение срабатывания C_L - емкость конденсатора, подключаемого между выводом Vout и GND I_OL - ток разряда конденсатора, протекающий через вывод Vout (около 5 мА).

, (4)

где: C_CT - емкость внешнего времязадающего конденсатора I_CT - ток разряда конденсатора, протекающий через вывод CT (около 0,2 мА).

а)с открытым стоком

б)с КМОП-выходом

в)Схема сброса по напряжениям Vdd1 и Vdd2 с функцией «монтажное ИЛИ» RST = (Vdd1)
Рис. 3. Реализация цепей сброса микроконтроллеров по напряжению питания на микросхемах BD 53xxи BD 53xx

Помощь | О проекте | Реклама на сайте | Карта портала | О копирайте и конфиденциальности

Проверить аттестат