В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • АЦП
  • ЦАП
  • Коммутаторы напряжения
  • Интерфейсные ИС
  • Датчики
  • Преобразователи уровней
  • MSP430
  • TMS470
  • DSP
  • Новости
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты >Texas Instruments > ADC > Быстрые 8-ми битные
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    TLV5580

    8 битный 80 MSPS маломощный АЦП

    Характеристики:

    • 8 битный 80 MSPS АЦП с УВХ
    • Типовая потребляемая мощность при использовании внешнего ИОН 165 мВт
    • Типовая ширина полосы входного аналогового сигнала 700 МГц
    • Однополярное питание 3,3 В
    • 3.3 В ТТЛ/КМОП - совместимый цифровой интерфейс
    • Встроенные ИОН для задания нижней и верхней границ входного динамического диапазона
    • Регулируемый опорным напряжением входной динамический диапазон
    • Режим пониженного потребления мощности
    • Отдельный вывод отключения встроенного ИОН
    • Выходы с тремя состояниями
    • 28 выводные корпуса SOIC и TSSOP

    Применение:

    • Цифровые системы связи (оцифровка сигналов ПЧ)
    • Плоские индикаторы
    • Оконечные модули высокоскоростных DSP (TMS320C6000)
    • Медицинское оборудование
    • Обработка видео сигналов
    • DVD проигрыватели

    Блок-схема:

    Расположение выводов:

    Описание:

    TLV5580 - 8 битный 80 MSPS быстродействующий аналого-цифровой преобразователь. Этот прибор производит преобразование входных аналоговых сигналов в 8 битные двоичные данные в прямом формате с частотой дискретизации 80 МГц. Все цифровые входы и выходы прибора являются 3.3 В ТТЛ/КМОП совместимыми.

    Устройство имеет небольшое потребление ввиду применения 3,3 В питания, новейшей одноконвейерной архитектуры и КМОП технологии изготовления. Прибор позволяет задавать нижнюю и верхнюю границы динамического диапазона опорными напряжениями, кроме того, внутренние ИОН можно использовать и для других узлов, так как они имеют отдельные выводы. Максимальная ширина входного динамического диапазона может быть в зависимости от напряжения питания в диапазоне от 1 В до 1.6 В. При использовании внешних ИОН для снижения потребления внутренние ИОН можно отключить.

    Прибор может использоваться в различных устройствах, хотя разработан он для высокоскоростной оцифровки сигналов изображения и для передачи данных в ЖКИ или ЖКИ/DMD проекционные модули. Кроме того, приборы предназначены для применения в DVD проигрывателях, медицинских системах отображения и в связном оборудовании. Этот прибор ввиду широкой полосы входного канала может использоваться для оцифровки сигналов ПЧ в системах связи.

    Одноконвейерная архитектура содержит 6 промежуточных модулей АЦП/ЦАП и один оконечный АЦП. Каждый модуль производит 2 битное преобразование. Корректирующая логика формирует 8 битный результат из 2 бит первого модуля, 1 бита от каждого промежуточного модуля и 1 бита оконечного модуля. Корректирующая логика гарантирует отсутствие потери данных во всем рабочем температурном диапазоне.

    Документация:

      532 Kb Engl Описание микросхемы