В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
    •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации




    Главная страница > Компоненты > Semikron > IPM SKiiP 2,3
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    SKiiP432GB120-2D

    Интеллектуальная силовая система SKiiP 2 с интегрированной схемой "2-pack"

    Отличительные особенности:

    • Интегрирование технологии SKiiP
    • Диоды выполнены по высокоплотной технологии CAL
    • Встроенный датчик тока
    • Встроенный датчик температуры
    • Встроенный теплоотвод
    • Соответствие IEC 60721-3-3 (влажность) класс 3K3/IE32 (система SKiiP3)
    • Соответствие IEC 60068-1 (климатическое исполнение) 40/125/56
    • Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

    Отличительные особенности драйвера затвора:

    • КМОП-совместимые входы
    • Широкий диапазон питания
    • Встроенная схема для определения фазы тока, температуры теплоотвода и постоянного напряжения шины (опционально)
    • Защита от короткого замыкания
    • Защита от токовой перегрузки
    • Защита от перенапряжения (опционально)
    • Защита источника питания от снижения напряжения
    • Блокировка верхнего/нижнего ключа
    • Трансформаторная изоляция
    • Оптоволоконный интерфейс (опция только для GB-типов)
    • Соответствие IEC 60068-1 (климатическое исполнение) 40/85/56
    • Сертификат лаборатории безопасности UL номер 242581
    Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
    VCC рабочее постоянное напряжение   900 В
    VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
    IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 400 (300) А
    Обратный диод
    IF=-IC прямой ток, равный отрицательному току коллектору Tc = 25 (70) °C 400 (300) A
    IFSM прямой максимальный ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 2880 A
    I2t значение I2t для диода tимп = 10 мс; Tj = 150 °C 41 кА2с
     
    Tj (Tstg) температура перехода (температура хранения)   - 40 (-25)... + 150 (125) °C
    Visol напряжение испытания изоляции действующее значение переменного напряжения, 1 минута, между сетевыми выводами и теплоотводом 3000 B


    Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
    IGBT-транзистор инвертора
    VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 350 A, Tj = 25 (125) °C   2,6 (3,1) 3,1 В
    VGEO   Tj = 25 (125) °C; на выводе   1,2 (1,3) 1,5 (1,6) В
    rCE дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C; на выводе   3,8 (5) 4,5 (5,8) мОм
    ICES ток отсечки коллектора-эмиттера с закороченным затвором и эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C   (20) 0,8 мА
    Eon + Eoff Рассеиваемая энергия в процессе включения и выключения IC = 350 A, VCC = 600 В,
    Tj = 125 °C, VCC = 900В    		   105
    185    		   мДж
     
    RCC'+EE' сопротивление клемма-кристалл Tj = 25 °C   0,25   мОм
    LCE индуктивность коллектора-эмиттера верхний, нижний транзистор   7,5   нГн
    CCHC емкость кристалл-корпус для одной фазы, на стороне переменного напряжения   2,8   нФ
    Обратный диод
    VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IF = 350 A; Tj = 25 (125) °C   2,1 (2) 2,6 В
    V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   1,3 (1) 1,4 (1,1) В
    rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   2,5 (3) 3,4 (3,9) мОм
    Err рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления IC = 350 A, VCC = 600 В
    Tj = 125 °C, VCC = 900В    		     12
    15    		 мДж
    мДж
    Механические данные
    Mdc монтажный вращающий момент клеммы постоянного тока 6   8 Н · м
    Mac монтажный вращающий момент клеммы переменного тока 13   15 Н · м
    w масса системы SKiiP 3 без теплоотвода     1,9   кг
    w масса теплоотвода     4,7   кг
    Тепловые характеристики (теплоотвод P16; 295 м3/ч); "s" указывает не теплоотвод; "r" - на встроенный датчик температуры
    Rth(j-s)I тепловое сопротивление для одного IGBT     0,064 К/Вт
    Rth(j-s)D тепловое сопротивление для одного диода     0,188 К/Вт
    Rth(s-a) тепловое сопротивление корпус-окр.среда для модуля     0,043 К/Вт
     
    Zth переходное тепловое сопротивление Ri (мК/Вт) (макс. значения) taui(s)
       
    1 2 3 4
    1 2 3 4
    Zth(j-r)I  
    7 50 8 0
    1 0,13 0,001 1
    Zth(j-r)D  
    21 144 23 0
    1 0,13 0,001 1
    Zth(r-a)  
    13,9 18,9 6,6 3,6
    262 50 5 0,02


    Предельно-допустимые характеристики драйвера
    (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
     
    VS1 нестабилизированное напряжение питания 15В   18 B
    VS2 нестабилизированное напряжение питания 24В   30 B
    Vi напряжение входного сигнала высокий уровень 15+0,3 B
     
    dv/dt скорость нарастания напряжения от вторичной к первичной стороне 75 кВ/мкс
    VisolIO испытательное напряжение изоляции вход/выход (перем. напр., действ. значение, 2 сек.) 3000 B
    Visol12 испытательное напряжение изоляции выход 1/выход 2 (перем. напр., действ. знач., 2 сек.) 1500 B
    fsw частота коммутации   20 кГц
    fout выходная частота для Ipeak(1)=IC   1 кГц
    Top (Tstg) рабочая температура/температура хранения   - 40...+ 85 °C


    Рабочие характеристики драйвера
    (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
     
    VS1 нестабилизированное напряжение питания 15В   14,4 15 15,6 В
    VS2 нестабилизированное напряжение питания 24В   20 24 30 В
    IS1 потребляемый ток VS2 = 15В 210+320*f/fmax+1,2*(IAC/A) мА
    IS2 потребляемый ток VS2 = 24В 160+120*f/fmax+0,85*(IAC/A) мА
    ViT+ входное пороговое напряжение высокого уровня       12,3 В
    ViT- входное пороговое напряжение низкого уровня   4,6     В
    RIN входное сопротивление     10   кОм
    td(on)IO задержка распространения вход-выход сигнала включения     1,5   мкс
    td(off)IO задержка распространения вход-выход сигнала выключения     1,4   мкс
    tpERRRESET время сброса запоминания ошибки   9     мкс
    tTD время блокирования верхнего/нижнего ключа     3,3   мкс
    IanalogOUT   8В соотв. напряжению питания 15 В внешних компонентов   400   A
    Is1out макс. ток нагрузки (доступен при наличии питания 24В)     50 мA
    IA0max вых. ток на выводе 12/14     5   A
    VOI выходное напряжение низкого уровня       0,6 В
    VOH выходное напряжение высокого уровня       30 В
    ITRIPSC порог срабатывания защиты от токовой перегрузки IanalogВЫХ. = 10 В   500   A
    ITRIPLG защита от потери земли         A
    Ttp порог срабатывания защиты от перегрева   110   120 °C
    UDCTRIP защита от снижения пост. напряжения Uanalog ВЫХ = 9В; опционально 900     B

    Внешний вид модулей SKiiP432GB120-2D:

    Внешний вид модулей SKiiP432GB120-2D

    Схема модуля SKiiP432GB120-2D:

    Схема модуля SKiiP432GB120-2D

    Документация:

      63 Kb Engl Описание модулей