SKM200GB063D
Сверхбыстродействующие модули непробиваемых IGBT-транзисторов из семейства SEMITRANS 3
Отличительные особенности:
- N-канальная гомогенная кремниевая структура (NPT IGBT, непробиваемый биполярный транзистор с изолированным затвором)
- Малый хвостовой ток с малой температурной зависимостью
- Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение при закорачивании затвора с эмиттером
- Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
- На 50 % снижены потери при выключении
- На 30 % снижен ток короткого замыкания
- Очень малые емкости Cies, Coes, Cres
- Исключено защелкивание
- Быстродействующие диоды, выполненные по запатентованной технологии CAL (управляемый осевой ресурс), с плавным восстановлением
- Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки
- Большой зазор (13 мм) и путь утечки (20 мм)
Области применения:
- Коммутация (не для линейных цепей)
- Импульсные источники питания
- Инверторы переменного тока для регулирования скорости в электроприводах
- Источники бесперебойного питания
- Инверторы сварочных аппаратов
| Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор |
| VCES |
напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером |
|
600 |
В |
| IC |
ток коллектора |
Tc = 25 (70) °C |
260 (200) |
А |
| ICRM |
повторяющийся максимальный ток коллектора |
tимп = 1 мс |
400 |
А |
| VGES |
напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером |
|
± 20 |
В |
| Tvj, (Tstg) |
эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) |
Tрабочая <= Tstg |
- 40 ... + (150) 125 |
°C |
| VISOL |
напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение, 1 минута |
2500 |
В |
| Обратный диод |
| IF |
прямой ток |
Tc = 25 (80) °C |
200 (135) |
A |
| IFRM |
максимальный повторяющийся прямой ток |
tимп = 1 мс |
400 |
A |
| IFSM |
прямой ток перегрузки |
tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C |
1400 |
A |
| Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор |
| VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 1 мА |
4,5 |
5,5 |
6,5 |
В |
| ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C |
|
0,1 |
0,3 |
мА |
| VCE(TO) |
постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
Tj = 25 (125) °C |
|
1,05 (1) |
|
В |
| rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C |
|
5,3 (7) |
|
мОм |
| VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
ICnom = 200 A, VGE = 15В, на уровне кристалла |
|
2,1 (2,4) |
2,5 (2,8) |
В |
| |
| Cies |
входная емкость |
при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
|
11,2 |
|
нФ |
| Coes |
выходная емкость |
|
1,25 |
|
нФ |
| Cres |
обратная переходная емкость |
|
0,75 |
|
нФ |
| LCE |
паразитная индуктивность коллектора-эмиттера |
|
|
20 |
нГн |
| RCC'+EE' |
суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера |
температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C |
|
0,35 (0,5) |
|
мОм |
| |
| td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 300 В, ICnom = 200 A |
|
140 |
|
нс |
| tr |
время нарастания |
RGon = RGoff = 10 Ом, Tj = 125 °C |
|
70 |
|
нс |
| td(off) |
длительность задержки выключения |
VGE = ± 15В |
|
442 |
|
нс |
| tf |
время спада |
|
|
45 |
|
нс |
| Eon (Eoff) |
рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения) |
|
|
11 (7,5) |
|
мДж |
| Обратный диод |
| VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IFnom = 200 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C |
|
1,55 (1,55) |
1,9 |
В |
| V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 125 () °C |
|
|
0,9 |
В |
| rT |
дифференциальное сопротивление |
Tj = 125 () °C |
|
4 |
5,5 |
мОм |
| IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IFnom = 200 A; Tj = 125 ( ) °C |
|
75 |
|
A |
| Qrr |
заряд восстановления |
di/dt = A/мкс |
|
12,7 |
|
мкКл |
| Err |
рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение |
VGE = 0В |
|
|
|
мДж |
| Тепловые характеристики |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для IGBT |
|
|
0,14 |
K/Вт |
| Rth(j-c)D |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для обратного диода |
|
|
0,3 |
K/Вт |
| Rth(c-s) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для модуля |
|
|
0,038 |
K/Вт |
| Механические данные |
| Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M6 |
3 |
|
5 |
Н · м |
| Mt |
монтажный вращающий момент |
для выводов с резьбой M5 |
2,5 |
|
5 |
Н · м |
| w |
масса |
|
|
|
325 |
грамм |
- IC - ток коллектора;
- VGE - напряжение затвор-эмиттер;
- VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
- Tj - температура перехода;
- ICnom - номинальный ток коллектора;
- VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
- RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
- IFnom - номинальный прямой ток.
Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3:
Схема модуля:
Расположение выводов:
Документация:
| |
 |
721 Kb Engl Описание модулей |
|
