В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > Semikron > Силовые полупроводники > IGBT серии SEMITRANS
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    SKM100GB123D, SKM100GAL123D, SKM100GAR123D

    Стандартные IGBT- модули SEMITRANS 2 на напряжение 1200В

    Отличительные особенности:

    • МОП-вход (управляемый напряжением)
    • N-канальная гомогенная кремниевая структура
    • Корпус с малой индуктивностью
    • Малый хвостовой ток с низкой температурной зависимостью
    • Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока до 6 х Ic
    • Исключено защелкивание
    • Быстродействующие инверсные CAL-диоды с плавным восстановлением
    • Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки
    • Большой зазор (10 мм) и путь утечки (20 мм)

    Области применения:

    • Коммутация (не для линейных цепей)
    Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
    IC ток коллектора Tc = 25 (80)°C 100 (90) А
    ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 150 А
    VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
    Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая Tstg - 40 ... + (125) 150 °C
    VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 2500 В
    Обратный диод
    IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 95 (65) A
    IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 150 A
    IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 720 A
    Свободный диод
    IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 130 (190) A
    IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 200 A
    IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 1100 A


    Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
    Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
    IGBT-транзистор
    VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 2 мА 4,5 5,5 6,5 В
    ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C   0,1 0,3 мА
    VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 (125) °C   1,4 (1.6) 1,6 (1.8) В
    rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C   14,6 (20) 18,6 (25,3) мОм
    VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 75 A, VGE = 15В, на уровне кристалла   2,5 (3,1) 3 (3,7) В
     
    Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   5 6,6 нФ
    Coes выходная емкость   0,72 0,9 нФ
    Cres обратная переходная емкость   0,38 0,5 нФ
    LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     30 нГн
    RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C   0,75 (1)   мОм
     
    td(on) длительность задержки включения VCC = 600 В, ICnom = 75 A   30 60 нс
    tr время нарастания RGon = RGoff = 15 Ом, Tj = 125 °C   70 140 нс
    td(off) длительность задержки выключения VGE = +15В   450 600 нс
    tf время спада     70 90 нс
    Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)     10 (8)   мДж
    Обратный диод
    VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 75 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   2 (1,8) 2,5 В
    V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 (125) °C     1,2 В
    rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C   12 15 мОм
    IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 75 A; Tj = 25 (125) °C   27 (40)   A
    Qrr заряд восстановления di/dt = 800 A/мкс   3 (10)   мкКл
    Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = В   3   мДж
    Свободный диод
    VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 100 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   2 (1,8) 2,2 В
    V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 (125) °C     1,2 В
    rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C   8 11 мОм
    IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 100 A; Tj = 25 (125) °C   35 (50)   A
    Qrr заряд восстановления di/dt = 1000 A/мкс   5 (14)   мкКл
    Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = В       мДж
    Тепловые характеристики
    Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,18 K/Вт
    Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,5 K/Вт
    Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,36 K/Вт
    Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля     0,05 K/Вт
    Механические данные
    Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
    Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
    w масса       160 грамм
    IC - ток коллектора;
    VGE - напряжение затвор-эмиттер;
    VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
    Tj - температура перехода;
    ICnom - номинальный ток коллектора;
    VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
    RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
    IFnom - номинальный прямой ток.

    Внешний вид модулей семейства SEMITRANS2:

    Внешний вид модулей семейства SEMITRANS2

    Схема модулей:

    Схема модулей SKM100GB123D, SKM100GAL123D, SKM100GAR123D

    Расположение выводов:

    Расположение выводов SKM100GB123DРасположение выводов SKM100GAL123D
    Расположение выводов SKM100GAR123D

    Документация:

      573 Kb Engl Описание модулей SKM100GB123D, SKM100GAL123D, SKM100GAR123D