FM20L08

Сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) размером 1 Мбит и параллельным интерфейсом доступа

Отличительные особенности:

• Сегнетоэлектрическое энергонезависимое ОЗУ размером 1 Мбит

  - Организация памяти 128К х 8 бит

  - Неограниченное количество циклов чтения/записи

  - Запись без задержек

  - Страничный режим работы при частоте синхронизации до 33 МГц

  - Прогрессивная высоконадежная сегнетоэлектрическая технология

• Замена статических ОЗУ

  - Расположение выводов в соответствии со стандартом JEDEC для статического ОЗУ с организацией памяти 128Kx8

  - Время доступа 60 нс, время цикла 350 нс

• Системный супервизор

  - Контроль снижения напряжения и формирование внешнего сигнала /LVL

  - Защита памяти от записи при снижении напряжения

  - Программная защита от записи блоков памяти

• Преимущества по сравнению со статическим ОЗУ с резервным батарейным питанием

  - Отсутствие резервной батареи и сопутствующих этому проблем

  - Высокая надежность энергонезависимого хранения

  - Полная совместимость с технологией поверхностного монтажа, исключение ряда монтажных операций

  - Улучшенная стойкость к влаге, ударам и вибрации

  - Стойкость к отрицательным выбросам напряжения

• Работа при малом напряжении питания

  - Напряжение питания 3.3В +10%, -5%

  - Потребление в активном режиме 22 мА

• Температурные исполнения

  - Расширенный температурный диапазон -25°C...+85°C

  - Расширенный температурный диапазон 0°C...+70°C

• 32-выв. корпус TSOP без содержания свинца

Структурная схема FM20L08:

Расположение выводов FM20L08:

Общее описание:

FM20L08 - энергонезависимая память с организацией 128К x 8, которая считывается и записывается подобно стандартному статическому ОЗУ. Сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) - энергонезависимая память, что означает сохранение данных после снятия питания. Сохранность данность обеспечивается в течение 10 лет, при этом, нет необходимости задумываться о надежности хранения данных (неограниченная износостойкость), упрощается проектирование системы и исключается ряд недостатков альтернативного решения энергонезависимой памяти на основе статического ОЗУ с резервным батарейным питанием. Быстрота записи и неограниченное количество циклов перезаписи делают FRAM лидером по отношению к другим типам энергонезависимой памяти.

Функционирование FM20L08 внутри системы очень похоже на функционирование других ОЗУ, поэтому, ее можно использовать как совместимую замену стандартных статических ОЗУ. Циклы чтения и записи могут быть инициированы через вход /CE или просто изменением адреса. Энергонезависимость FRAM обеспечивается благодаря применению технологии сегнетоэлектрической памяти. FM20L08 является идеальным выбором для приложений, где требуется частая и быстрая запись, как при использовании статического ОЗУ.

FM20L08 содержит схему контроля напряжения питания. Когда напряжение питания VDD становится ниже критического порога, эта схема блокирует запись в память, исключая случайную и несанкционированную запись, и устанавливает низкий уровень выходного сигнала /LVL.

У FM20L08 также поддерживается программный механизм защиты от записи. Массив памяти разделен на 8 блоков равных размеров, каждый из которых можно защитить от записи раздельно.

Описание выводов:

Наимено- вание вывода	Описание
A(16:0)	Адресные входы
/CE	Вход выбора микросхемы
/OE	Чтение
/WE	Запись
DQ(7:0)	Линии данных
/LVL	Выход схемы контроля напряжения
DNU	Не используется (данный вывод нужно оставить неподключенным)
VDD	Напряжение питания 3.3В
VSS	Общий питания

Информация для заказа:

Код заказа	Время доступа	Корпус	Температурный диапазон
FM20L08-60-TG	60 нс	32-выв. TSOP без содержания свинца	-25°C...+85°C
FM20L08-60-TGC	60 нс	32-выв. TSOP без содержания свинца	0°C...+70°C

Документация:

		131 Kb Engl Описание микросхемы FM20L08 с расширенным температурным диапазоном
		131 Kb Engl Описание микросхемы FM20L08 с коммерческим температурным диапазоном