Энергонезависимое сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) емкостью 256 кбит
    - Организация памяти 32768 x 8
    - Высокая износостойкость: 10 млрд. (10¹⁰) циклов чтение/запись
    - Срок хранения информация 10 лет
    - Отсутствуют задержки при записи (NoDelay™)
    - Продвинутая высоконадежная сегнетоэлектрическая технология
Лучше модулей BBSRAM (статическое ОЗУ с батарейным питанием)
    - Исключены беспокойства по поводу применения батареи
    - Надежность благодаря монолитности
    - Действительное решение для поверхностного монтажа без необходимости послемонтажной досборки
    - Лучше стойкость к влажности, ударам и вибрации
    - Стойкость к отрицательным выбросам напряжения
Совместимость со статическими ОЗУ и ЭППЗУ
    - Расположение выводов по стандарту JEDEC для статических ОЗУ и ЭППЗУ с организацией памяти 32к x 8
    - Время доступа 70 нс
    - Длительность цикла записи 130 нс
Малая потребляемая мощность
- Активный ток 25 мА
- Ток покоя 20 мкA
Соответствие промышленным стандартам
- Рабочая температура: -40° C … +85° C
- 28-выв. корпус SOIC или DIP

Структурная схема FM1808:

Структурная схема FM1808

Расположение выводов FM1808:

Расположение выводов FM1808

Общее описание:

FM1808 – энергонезависимая память емкостью 256 кбит, выполненная по сегнетоэлектрической технологии. Сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство или FRAM является энергонезависимым и выполняет операции чтения и записи подобно ОЗУ. Оно обеспечивает надежное хранение информации в течение 10 лет, при устранении проблем связанных со сложностью проектирования, невысокой надежностью хранения информации и функциональным несовершенством ОЗУ с резервным питанием. Кроме того, скорость записи и износостойкость ваше, чем других типов энергонезависимой памяти.

Функционирование внутри системы FM1808 очень похоже на работу ОЗУ. Минимальная длительность цикла чтения равна минимальной длительности цикла записи. Память FRAM, при этом, обладает энергонезависимостью хранения данных благодаря применению сегнетоэлектрической технологии памяти. В отличие от статических ОЗУ с резервным батарейным питанием (BBSRAM) FM1808 является действительной монолитной энергонезависимой памятью. Она обеспечивает те же преимущества по быстродействию записи, при этом исключены проблемы, связанные с применением модулей и батарей или гибридной памяти.

Данные возможности делают FM1808 идеальным для приложений с энергонезависимым хранением информации, где требуется частая и быстрая запись данных при параллельном формате данных.

Доступность корпусов для поверхностного монтажа улучшает качество новых разработок, при этом корпус DIP позволит просто модернизировать существующие разработки. Для FM1808 выполнение характеристик гарантируется во всем промышленном температурном диапазон -40°C … +85°C.

Описание выводов:

Наимено- вание вывода	Описание
A0-A14	Адресный входы (15 адресных входов позволяют выбрать одну из 32768 ячеек памяти. Фиксация адреса происходит по падающему фронту /CE)
DQ0-7	Ввод-вывод данных ( 8-разрядная двунаправленная шина данных для доступа к массиву FRAM)
/CE	Вход разрешения работы микросхемы (активный низкий уровень)
/OE	Вход разрешения выходов (Для считывания данных подается активный низкий уровень. В противном случае шина данных находится в третьем (высокоимпедансном) состоянии
/WE	Вход разрешения записи (Для записи данных необходима подача активного низкого уровня на вход /WE. Запись происходит по адресу, который был зафиксирован падающим фронтом на /CE)
VDD	Напряжение питания 5В
VSS	Общий питания

Информация для заказа:

Код заказа	Корпус
FM1808-70-P	28-выв. пластиковый DIP
FM1808-70-S	28-выв.SOIC

Документация:

128 Kb Engl Описание микросхемы FM1808

Помощь | О проекте | Реклама на сайте | Карта портала | О копирайте и конфиденциальности

Проверить аттестат