Энергонезависимое сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) емкостью 64 кбит
    - Организация памяти 8192 x 8
    - Высокая износостойкость: 1 триллион (10¹²) циклов чтение/запись
    - Срок хранения информация 10 лет
    - Отсутствуют задержки при записи (NoDelay™)
    - Продвинутая высоконадежная сегнетоэлектрическая технология
Лучше модулей BBSRAM (статическое ОЗУ с батарейным питанием)
    - Исключены беспокойства по поводу применения батареи
    - Надежность благодаря монолитности
    - Действительное решение для поверхностного монтажа без необходимости послемонтажной досборки
    - Лучше стойкость к влажности, ударам и вибрации
    - Стойкость к отрицательным выбросам напряжения
Совместимость со статическими ОЗУ и ЭППЗУ
    - Расположение выводов по стандарту JEDEC для статических ОЗУ и ЭППЗУ с организацией памяти 8к x 8
    - Время доступа 120 нс
    - Длительность цикла записи 180 нс
Малая потребляемая мощность
- Активный ток 15 мА
- Ток покоя 20 мкA
Соответствие промышленным стандартам
- Рабочая температура: -40° C … +85° C
- 28-выв. корпус SOIC или DIP

Структурная схема FM1608:

Структурная схема FM1608

Расположение выводов FM1608:

Расположение выводов FM1608

Общее описание:

FM1608 – энергонезависимая память емкостью 64 кбит, выполненная по сегнетоэлектрической технологии. Сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство или FRAM является энергонезависимым и выполняет операции чтения и записи подобно ОЗУ. Оно обеспечивает надежное хранение информации в течение 10 лет, при устранении проблем связанных со сложностью проектирования, невысокой надежностью хранения информации и функциональным несовершенством ОЗУ с резервным питанием. Кроме того, скорость записи и износостойкость ваше, чем других типов энергонезависимой памяти.

Функционирование внутри системы FM1608 очень похоже на работу ОЗУ. Минимальная длительность цикла чтения равна минимальной длительности цикла записи. Память FRAM, при этом, обладает энергонезависимостью хранения данных благодаря применению сегнетоэлектрической технологии памяти. В отличие от статических ОЗУ с резервным батарейным питанием (BBSRAM) FM1608 является действительной монолитной энергонезависимой памятью. Она обеспечивает те же преимущества по быстродействию записи, при этом исключены проблемы, связанные с применением модулей и батарей или гибридной памяти.

Данные возможности делают FM1608 идеальным для приложений с энергонезависимым хранением информации, где требуется частая и быстрая запись данных при параллельном формате данных.

Доступность корпусов для поверхностного монтажа улучшает качество новых разработок, при этом корпус DIP позволит просто модернизировать существующие разработки. Для FM1608 выполнение характеристик гарантируется во всем промышленном температурном диапазон -40°C … +85°C.

Описание выводов:

Наимено- вание вывода	Описание
A0-A12	Адресный входы (13 адресных входов позволяют выбрать одну из 8192 ячеек памяти. Фиксация адреса происходит по падающему фронту /CE)
DQ0-7	Ввод-вывод данных ( 8-разрядная двунаправленная шина данных для доступа к массиву FRAM)
/CE	Вход разрешения работы микросхемы (активный низкий уровень)
/OE	Вход разрешения выходов (Для считывания данных подается активный низкий уровень. В противном случае шина данных находится в третьем (высокоимпедансном) состоянии
/WE	Вход разрешения записи (Для записи данных необходима подача активного низкого уровня на вход /WE. Запись происходит по адресу, который был зафиксирован падающим фронтом на /CE)
VDD	Напряжение питания 5В
VSS	Общий питания

Информация для заказа:

Код заказа	Корпус
FM1608-120-P	28-выв. пластиковый DIP
FM1608-120-S	28-выв. SOIC

Документация:

147 Kb Engl Описание микросхемы FM1608

Помощь | О проекте | Реклама на сайте | Карта портала | О копирайте и конфиденциальности

Проверить аттестат