В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
    •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации




    Главная страница > Компоненты > National Sem.
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    8.0 Характеристики устройства

    8.1 Абсолютные максимальные номинальные значения

    Абсолютные максимальные номинальные значения показывают пределы, превышение которых может привести к повреждению устройства.

    Напряжение питания -0.5В…+7.0В
    DC входное напряжение -0.5В…VCC + 0.5В
    DC выходное напряжение -0.5В…VCC + 0.5В
    Температура хранения -65°С…+150°С
    Температура пайки (паяние 10 с) 260 °С
    Номинальное значение ESD 1 4.5 КВ

    1. Модель человеческого тела; 100 пФ разряжается через 1.5 КОм резистор.

    8.2 DC электрические характеристики

    (3.0В< VCC < 5.5В, 0°C < TA< +70°C, без определения в других случаях)



    Символ Параметр Условия Мин Тип Макс Единицы
    Рабочие значения
    VCC Напряжение питания 1   3.0 5.0 5.5 В
    ICC1 Рабочий ток питания     30 40 мА
    ICC2 Ток питания в режиме ожидания 2     5 10 мА
    Iccq Ток в режиме Halt: работа при 3.3В 3     1 2 мкА
    Ток в режиме Halt: работа при 5В 1     250 400 мкА
    Tamb Диапазон рабочей температуры   0   +70 oC
    Сигналы USB
    VDI Чувствительность дифференциального входа (D+) – (D-) -0.2   0.2 В
    VCM Диапазон общего дифференциального режима   0.8   2.5 В
    VSE Порог приёмника   0.8   2.0 В
    VOL Низкий уровень выходного напряжения RL = 1.5 КОм для 3.6В     0.3 В
    VOH Высокий уровень выходного напряжения   2.8     В
    IOZ Утечка трёх стабиль-ной линии данных 0В <VIN<3.3В -10   10 мкА
    CTRN Ёмкость передатчика       20 пФ
    Сигналы цифрового входа/выхода (RESET, MODE, CLKOUT, AD0-AD7, WR, RD, A0)
    VOH Высокий уровень выходного напряжения IOH = -6 мА для(VCC = 5В) I OH = -4 мА для (V CC = 3.3В) 2.4     В
    VOL Низкий уровень выходного напряжения IOL= 6 мА     0.4 В
    VIH Высокий уровень входного напряжения   2.0     В
    VIL Низкий уровень входного напряжения       0.8 В
    IIL Низкий уровень входного тока VIN = GND     -10 мкА
    IIH Высокий уровень входного тока VIN     10 мкА
    IOZ Утечка трёх стабильной линии VOUT = VCC или GND -10   10 мкА
    Сигналы входа / выхода осциллятора (XTALIN, XTALOUT)
    VIH Входной высокий уровень переключения       1.8 В
    VIL Входной низкий уровень переключения       1.0 В
    CXIN Входная ёмкость 4       4.0 пФ
    CXOUT Выходная ёмкость       4.0 пФ
    Регулятор напряжения (3.3 В)
    VO Выходное напряжение5   3.0   3.6 В


    1. Включён внутренний регулятор напряжения.
    2. CLKOUT не подключён и устройство не доступно.
    3. Отключён внутренний регулятор напряжения.
    4. Не тестировано. Гарантируется разработчиком.
    5. Внутренний регулятор напряжения предназначен только для питания внутренних передатчиков и одной внешней нагрузки. Внешний развязывающий конденсатор подключён к этой ноге.

    8.3 AC электрические характеристики

    (3.0В< VCC < 5.5В, 0°C < TA< +70°C, без определения в других случаях)



    Символ Параметр Условия1 2 Мин Тип Макс Единицы
    Скоростная передача сигналов (D+, D-)
    TR Время нарастания CL = 50 пФ 4   20 нс
    TF Время спада CL = 50 пФ 4   20 нс
    TRFM Соотношение времён нарастания/спада (TR/TF) CL = 50 пФ 90   110 %
    VCRS Переходное напряжение выходного сигнала CL = 50 пФ 1.3   2.0 В
    ZDRV Сопротивление выходно-го драйвера (одно конечный) CL = 50 пФ 28   43 Ом
    Выходные характеристики генератора тактовых импульсов (CLKOUT)
    TR Выходное время нарастания CL = 50 пФ     10 нс
    TF Выходное время спада CL = 50 пФ     10 нс
    TCYCLE Выходной рабочий цикл FOUT< 48 МГц 45   55 %


    1. Тестирование проведено для 50 Вт, а не для 45 Вт ± 15%, как определено в спецификации USB версии 1.1.
    2. Временные характеристики измерены на уровне 10% и 90%.
    Примечание: CKI в следующей таблице относится к внутреннему генератору тактовых импульсов устройства, а не к сигналу частоты приложенной к XIN.

    8.4 Временные характеристики параллельного интерфейса (MODE1-0 = 00B)

    (3.0В< VCC < 5.5В, 0°C < TA< +70°C, без определения в других случаях)



    Символ Параметр Условия Мин Тип Макс Единицы
    tAS Время установки адреса CL = 50 пФ 0     нс
    tAH Время задержки адреса CL = 50 пФ 0     нс
    tRW Ширина импульса чтения 1 CL = 50 пФ 1/CKI     нс
    tRC Время цикла чтения 2 3 CL = 50 пФ 3/MCLK     нс
    tRDV Действительные выходные данные после низкого уровня сигнала чтения CL = 50 пФ   20 30 нс
    tRDH Задержка выходных данных после высокого уровня сигнала чтения CL = 50 пФ 2     нс
    tWW Ширина импульса записи 1 CL = 50 пФ 1/CKI     нс
    tWC Время цикла записи 2 3 CL = 50 пФ 3/MCLK     нс
    tDS Время установки входных данных CL = 50 пФ 25     нс
    tDH Время задержки входных данных CL = 50 пФ 8     нс


    1. Внутренний генератор тактовых импульсов: CKI = 48 МГц в этом устройстве.
    2. Тактовые импульсы памяти: MCLK = CKI/4 =12 МГц.
    3. Время до прихода следующего цикла чтения или записи.

    Рисунок 25. Временные характеристики чтения в немультиплексорном режиме (Показана последовательность циклов чтения)



    Примечание: Время установки tAS определено соответственно для первого перехода CS или RD. Все три сигнала могут переключатся в одно время.

    Рисунок 26. Временные характеристики записи в немультиплексорном режиме (Показана последовательность циклов записи)



    Примечание: Время установки tAS tAH определено соответственно для первого перехода CS или WR. Все три сигнала могут переключатся в одно время.

    8.5 Временные характеристики параллельного интерфейса (MODE1-0 = 01B)

    (3.0В< VCC < 5.5В, 0°C < TA< +70°C, без определения в других случаях)



    Символ Параметр Условия Мин Тип Макс Единицы
    tAH Длительность высокого уровня ALE 1 CL = 50 пФ 1/CKI     нс
    tCLAL Низкий уровень CS до низкого уровня ALE CL = 50 пФ 1/CKI     нс
    tAVAL Действительный адрес до низкого уровня ALE CL = 50 пФ 10     нс
    tAHAL Задержка адреса после низкого уровня ALE CL = 50 пФ 10     нс
    tALRH Низкий уровень ALE до высокого уровня RD 2 CL = 50 пФ 3/MCLK     нс
    tRDLV Низкий уровень чтения до действительных данных CL = 50 пФ   20 30 нс
    tRHDZ Задержка данных после высокого уровня чтения CL = 50 пФ 2   15 нс
    tRL Ширина импульса чтения CL = 50 пФ 1/CKI     нс
    tWHAH Высокий уровень записи до следующего высокого уровня ALE CL = 50 пФ 3/MCLK     нс
    tWHCH Высокий уровень записи до высокого уровня CS CL = 50 пФ 10     нс
    tWL Ширина импульса записи CL = 50 пФ 1/CKI     нс
    tDSWH Установка данных до высокого уровня WR CL = 50 пФ 25     нс
    tDHWH Задержка данных после высокого уровня WR CL = 50 пФ 2     нс


    1. Внутренний генератор тактовых импульсов: CKI = 48 МГц в этом устройстве.
    2. Тактовые импульсы памяти: MCLK = CKI/4 =12 МГц.

    Рисунок 27. Временные характеристики чтения в мультиплексорном режиме



    Рисунок 28. Временные характеристики записи в мультиплексорном режиме



    8.6 Временные характеристики поддержки DMA

    (3.0В< VCC < 5.5В, 0°C < TA< +70°C, без определения в других случаях)



    Символ Параметр Условия Мин Тип Макс Единицы
    tRHAL Высокий уровень запроса до низкого уровня ACK CL = 50 пФ 0     нс
    tALWL Низкий уровень ACK до низкого уровня записи CL = 50 пФ 0     нс
    tWW Ширина импульса записи CL = 50 пФ 1/CKI     нс
    tWRL Высокий уровень записи до низкого уровня запроса CL = 50 пФ<     2/MCLK нс
    tDWR Восстановление записи DMA 1 CL = 50 пФ     2/MCLK нс
    tALRL Низкий уровень ACK до низкого уровня чтения CL = 50 пФ 0     нс
    tRW Ширина импульса чтения CL = 50 пФ 1/CKI     нс
    tRRL Высокий уровень чтения до низкого уровня запроса CL = 50 пФ     2/MCLK нс
    tDRR Восстановление чтения DMA 1 CL = 50 пФ     2/MCLK нс


    1. Если передача DMA не прервана записью или чтением. Если передача прервана, то используются два дополнительных цикла MCLK.

    Рисунок 29. DMA запись в USBN9603/4



    Рисунок 30. DMA чтение из USBN9603/4



    8.7 Временные характеристики интерфейса MICROWIRE (MODE1-0 = 10B)

    Символ Параметр Условия Мин Тип Макс Единицы
    tSKC Время цикла SK 1 CL = 50 пФ 4/MCLK     нс
    tCC Временной промежуток между двумя последова-тельными 8 тактовыми циклами1 CL = 50 пФ 4/MCLK     нс
    tSIH Время задержки последовательного входа CL = 50 пФ 3/MCLK     нс
    tSOV Время действительного последовательного выхода CL = 50 пФ     3/MCLK нс


    1. Тактовые импульсы памяти: MCLK = CKI/4 =12 МГц.

    Рисунок 31. Временные характеристики интерфейса MICROWIRE



    Примечание: Первые 8 импульсов SK выдвигают текущее содержимое сдвигового регистра.

    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->