DS1558, DS1558W, DS1558Y

Следящий контроллер реального времени с контроллером энергонезависимой RAM

Отличительные особенности:

• Интегрированный контроллер реального времени (RTC), цепи контроля отключения питания и контроллер энергонезависимой RAM
• Обращение к регистрам RTC производится аналогично обращению к статической RAM, данные регистры расположены в 16 верхних ячейках RAM
• Регистр века
• Сохранность данных и отсчет времени при отсутствии внешнего питания при использовании малогабаритного литиевого элемента(ов) питания и статической RAM с малой утечкой превышает 10 лет
• Прецизионная инициализация при включении питания
• Программируемый следящий таймер и сигнал RTC будильника
• Двоично- десятично - кодированные данные года, месяца, даты, дня недели, часов, минут и секунд с автоматической компенсацией смены года, действительной до 2100 года
• Флаг- индикатор напряжения батареи
• Режим защиты от записи, обеспечивает защиту от записи вне диапазона Vcc 10%
• Защита от обратного подключения батареи

Типовая схема включения:

Расположение выводов (вид сверху):

Описание:

ИС DS1558 является полнофункциональным, совместимым с проблемой 2000 года (Y2KC), контроллером реального времени (RTC)/ календарем с сигналом RTC будильника, следящим таймером, инициализацией при включении питания, функцией мониторинга батареи и контроллером энергонезависимой статической памяти RAM. Пользователь имеет доступ ко всем регистрам в составе DS1558 посредством байт- параллельного интерфейса. Регистры RTC содержат данные века, года, месяца, даты, дня недели, часа, минут, секунд в 24- часовой шкале в двоично- десятичном формате. Коррекция даты при смене месяца и года производится автоматически.

ИС DS1558 отображает регистры RTC в адресном пространстве SRAM и производит непрерывный мониторинг шин A0-A18. При обращении к любой из 16 верхних адресных ячеек, DS1558 блокирует сигналы CER (активный низкий) и OER (активный низкий) на входах SRAM и перенаправляет запросы чтения и записи в регистры RTC в составе ИС DS1558. ИС DS1558 может использоваться совместно с модулями SRAM, имеющими, вплоть до 524 272 адресных ячеек. При использовании модулей SRAM меньшей емкости неиспользованные адресные шины DS1558 подключаются к VCC.

Регистры RTC имеют двойную буферизацию во внутреннем и во внешнем массивах. Пользователь имеет прямой доступ ко внешнему массиву. Обновление данных RTC / календаря во внешнем массиве регистров может отключаться и подключаться для обеспечения возможности доступа пользователя к статическим данным. Если предположить, что внутренний тактовый генератор включен, то производится непрерывное обновление данных во внутреннем регистровом массиве. Это происходит вне зависимости от настроек внешнего массива регистров, что гарантирует поддержание точных RTC данных.

ИС DS1558 имеет выходные сигналы прерывания IRQ (активный низкий) и инициализации RST (активный низкий), которые могут использоваться для управления активностью процессора. IRQ (активный низкий)/ FT - прерывание может использоваться для генерации внешнего прерывания при совпадении состояния RTC регистров с запрограммированными пользователем сигнальными величинами. Использование прерывания возможно в любое время, при питании ИС от системного источника питания, а также, прерывание может быть запрограммировано и использоваться для активизации системы в режиме питания ИС от резервного источника. Выходной сигнал IRQ (активный низкий)/ FT, также может использоваться в качестве следящего таймера CPU. Так, в процессе мониторинга активности CPU возможна активизация прерывания, или сигнала инициализации, если адекватное действие не было замечено в запрограммированный промежуток времени. Функция инициализации DS1558 и выходной сигнал RST (активный низкий) могут быть использованы для определения отключения питания, или сбоя по системному питанию, и удерживать CPU в безопасном режиме инициализации, вплоть до нормализации, и стабилизации напряжения питания.

ИС DS1558, также, содержит встроенные цепи мониторинга состояния питания, которые автоматически защищают данные в таймере и в модуле SRAM от переходных процессов на VCCI путем блокировки входа CE (активный низкий) при выходе напряжения шины питания VCC из установленного диапазона. При снижении напряжения VCCI ниже уровня VBAT, внешняя батарея подключается и обеспечивает питание RTC и внешнего модуля SRAM. Данная функция обеспечивает высокий уровень сохранности данных на время непредсказуемого поведения системы, вызываемого низкими уровнями напряжения VCC.

Документация:

312 Kb Engl Описание микросхемы