В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Микросхемы > Maxim > Ключи и мультиплексоры
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    MAX378, MAX379

    8-ми канальные, высоковольтные, отказоустойчивые мультиплексоры

    Отличительные особенности:

    • Входные напряжения в аварийном режиме ±75 В при отключенном питании
    • Входные напряжения в аварийном режиме ±60 В при питании ±15 В
    • Все каналы переходят в разомкнутое состояние при отключении питания
    • Проводящие каналы размыкаются при перенапряжении на входе/выходе
    • В любых аварийных ситуациях втекающий ток составляет единицы наноампер
    • Нет повышения тока питания в аварийных ситуациях
    • Архитектура с защитой от эффекта «залипания»
    • Все цифровые входы имеют совместимость с TTL/CMOS уровнями
    • Монолитная CMOS конструкция с низким энергопотреблением

    Области применения:

    • Системы сбора данных
    • Системы управления промышленными техпроцессами
    • Тестовое авиационное электронное оборудование
    • Распределение сигналов между системами

    Расположение выводов:

    Описание:

    Восьмиканальный мультиплексор 1-на –8 MAX378 с несимметричным входом, и четырехканальный, дифференциальный мультиплексор 2 – на – 8 MAX379, используют последовательно – соединенные, N-канальные/ P-канальные/ N-канальные структуры, обеспечивающие существенно, повышенный уровень отказоустойчивости. В случае ошибочного отключения питания ИС, при сохранении входных напряжений, все каналы мультиплексоров, с повышенным уровнем отказоустойчивости, переходят в разомкнутое состояние, при сохранении только небольших входных токов утечки (единиц наноампер). Это обеспечивает защиту не только мультиплексоров MAX378/MAX379 и цепей, управляемых ими, но также, защищает сенсоры или источники сигналов, управляющие мультиплексором.

    Защитные, последовательно – соединенные, N-канальные, P-канальные, N-канальные структуры, имеют два существенных преимущества перед обычной схемой ограничения тока, примененной в мультиплексорах первого поколения. Первое преимущество состоит в уровне аварийного ограничения токов единицами наноампер, вместо единиц миллиампер. Это предотвращает повреждение сенсоров и других чувствительных источников сигналов. Второе преимущество состоит в том, что мультиплексоры MAX378/MAX379, с повышенным уровнем отказоустойчивости, способны продолжительное время выдерживать перенапряжение на входах, величиной ±60 В, в отличие от ИС первого поколения, чья защита от перенапряжения ±35 В, определялась допустимым уровнем рассеивания мощности.

    Все логические входы ИС имеют пороги уровней переключения в диапазоне от 0.8 В до 2.4 В, обеспечивая совместимость с уровнями TTL/CMOS, без необходимости использования балластных резисторов. Гарантирован алгоритм работы мультиплексоров разрыв- перед – следующей коммутацией (Break-before-make), и пониженное энергопотребление, менее 2 мВт.

    Документация:

      105 Kb Engl Описание микросхемы