автоматическая защита данных при пропадании питания.
неограниченное количество циклов записи.
технология КМОП, обеспечивающая малое потребление.
литиевый источник энергии, отключенный от схемы до первой подачи питания, что сохраняет его емкость.

Тип прибора	Емкость, бит	Орган., разр	Время обращения, нс	Особенности архитектуры	Потребление в режиме:					Тип корпуса
					активном	пассивном
					(быт./ пром.) мА	при #CE=2.2 В, мА		при #CE=V_CC-0.5 В, мА
					Макс.	Тип.	Макс.	Тип.	Макс.
DS1220AB⁽¹⁾ DS1220AD	16К	2Кx8	100, 120, 150, 200		75/80	5.0	10.0	3.0	5.0	JEDEC 24DIP
DS1220Y	16К	2Кx8	100, 120, 150, 200		75/85	3.0	7.0	2.0	4.0	JEDEC 24DIP
DS1225AB⁽¹⁾ DS1225AD	64К	8Кx8	70, 85, 150, 200		75/85	5.0	10.0	3.0	5.0	JEDEC 28DIP
DS1225Y	64К	8Кx8	150, 170, 200		75/85	5.0	10.0	3.0	5.0	JEDEC 28DIP
DS1230AB⁽¹⁾ DS1230Y	256К	32Кx8	70, 85, 100, 120, 150, 200		85/85	5.0	10.0	3.0	5.0	JEDEC 28DIP, LPM⁽²⁾
DS1330AB⁽¹⁾ DS1330Y	256К	32К x8	70, 100	Мониторинг питания, сигналы #RST, #BW	85/85	0.3	0.6	0.1	0.15	LPM⁽²⁾
DS1630AB⁽¹⁾ DS1630Y	256К	32К x8	70, 85, 100, 120	По-блочная защита от записи, вывод #PFO⁽⁴⁾	85/85	5.0	10.0	3.0	5.0	JEDEC 28DIP, LPM⁽²⁾
DS1245AB⁽¹⁾ DS1245Y	1М	128Кx8	70, 85, 100, 120		85/85	5.0	10.0	3.0	5.0	JEDEC 32DIP, LPM⁽²⁾
DS1345AB⁽¹⁾ DS1345Y	1М	128Кx8	70, 100	Мониторинг питания, сигналы #RST, #BW	85/85	0.3	0.6	0.1	0.15	LPM⁽²⁾
DS1645AB⁽¹⁾ DS1645Y	1М	128К x8	70, 85, 100, 120	По-блочная защита от записи, вывод #PFO⁽⁴⁾	85/85	5.0	10.0	3.0	5.0	JEDEC 32DIP, LPM⁽²⁾
DS1645EE⁽³⁾	1М	128К x8	70, 85, 100		85/85	5.0	10.0	3.0	5.0	32DIP JEDEC разводка
DS1249Y DS1249AB	2М	256Кx8	85, 100		85/85	5.0	10.0	3.0	5.0	JEDEC 32DIP
DS1258AB⁽¹⁾ DS1258Y	2М	128Кx16	70, 100	Входы #CEU и #CEL	170/170	10.0	20.0	6.0	10.0	40DIP
DS1658AB⁽¹⁾ DS1658Y	2М	128К x16	70, 100	Входы #CEU и #CEL По-блочная защита от записи	170/170	10.0	20.0	6.0	10.0	40DIP
DS1250AB⁽¹⁾ DS1250Y	4М	512Кx8	70, 100		85/85	5.0	10.0	3.0	5.0	JEDEC 32DIP, LPM⁽²⁾
DS1350AB⁽¹⁾ DS1350Y	4М	512Кx8	70, 100	Мониторинг питания, сигналы #RST, #BW	85/85	0.3	0.6	0.1	0.15	LPM⁽²⁾
DS1650AB⁽¹⁾ DS1650Y	4М	512К x8	70, 85, 100	По-блочная защита от записи, вывод #PFO⁽⁴⁾	85/85	5.0	10.0	3.0	5.0	JEDEC 32DIP, LPM⁽²⁾
DS2227	4М	8, 16 или 32	70, 100, 120	Селективная организация	280/-					SIMM модуль

Примечания: 1. Допустимые отклонения V_CC не более ±5%.

2. Модуль общей высотой 6.35 мм. Устанавливается в стандартный 68-выводной разъем с поверхностным монтажом.

3. Отличается от DS1645AB и DS1645Y только разводкой выводов.

4. Вывод #PFO присутствует только в LPM.

Энергонезависимые полностью статические ОЗУ перекрывают диапазон емкости от 16 Кбит до 4 Мбит с 8-разрядной, в основном, организацией и временем обращения 70...200 нс. Энергонезависимость приборов обеспечивается тем, что в каждый прибор встроен автономный источник энергии и схема управления, постоянно отслеживающая соответствие напряжения питания необходимым требованиям.

При выходе напряжения питания за оговоренные пределы автоматически подключается внутренний источник энергии, позволяющий сохранить записанные данные, и включается защита, предохраняющая данные от повреждения. Создание описываемых энергонезависимых СОЗУ стало возможным с освоением производства малогабаритных литиевых источников энергии. Использование для реализации энергонезависимых СОЗУ КМОП технологии, обеспечивающей малое потребление прибора в пассивном режиме, с литиевыми батареями, имеющими на сегодняшний день наилучшую энергетическую емкость, позволило разработчикам фирмы гарантировать сохранение данных, при отсутствии внешнего питания, в течение как минимум 10 лет. Количество циклов записи ограничений не имеет.

Архитектура приборов DS1630, DS1645, DS1650 и DS1658 позволяет организовать безусловную защиту от случайной перезаписи данных, находящихся в заданных пользователем блоках матрицы памяти. Кроме того LPM корпуса этих приборов оснащены дополнительным выходом (#PFO) на который выводится сигнал предупреждения о несоответствии V_CC требуемым параметрам.

Приборы DS1330, DS1345 и DS1350 содержат дополнительную схему контроля состояния V_CC и встроенной литиевой батареи. Большинство описываемых приборов, выпускается в виде DIP модулей с разводкой и посадочными размерами соответствующими JEDEC корпусам и непосредственно заменяют стандартные 8-разрядные СОЗУ. Разводка выводов DIP модулей совпадает с разводкой выводов популярных перепрограммируемых приборов типов 27XX и 28XX, что позволяет очень просто заменить перепрограммируемые приборы на энергонезависимые СОЗУ фирмы Dallas Semiconductor и этой заменой повысить характеристики системы в целом. Для организации интерфейса с ИС микропроцессоров дополнительных схем поддержки не требуется.

Кроме того, версии ряда приборов, ориентированные на технологию поверхностного монтажа, выпускаются в виде невысоких (общей высотой 6.35 мм) модулей с выводами, расположенными по двум противоположным сторонам модуля. Они могут быть установлены в стандартные 68-выводные PLCC колодки для поверхностного монтажа. Шестнадцатиразрядные приборы, выпускаемые в виде 40-выводных модулей с успехом могут использоваться в тех применениях, в которых 16-разрядные СОЗУ формируются из нескольких ИС.

Помощь | О проекте | Реклама на сайте | Карта портала | О копирайте и конфиденциальности

Проверить аттестат