В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Тиристоры
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Тиристоры SCR: Fast Discrete с напряжением 800 В

    Типономинал Корпус Схема VDRM IT(RMS) IT(av) comp.(a) @ TC ITSM (50Hz) ITSM (60Hz) Vgt Igt VTM comp.(a) @ ITM comp. (a) DV/DT Rth(JC)
    ST083S08PFN0 TO-209AC (TO-94) DISCRETE 800 135 85 85 2060 2160 3 200 2.15 300 12 0.195
    ST183C08CFL0 TO-200AB (A-Puk) DISCRETE 800 690 370 55 4120 4310 3 200 1.8 600 10 0.08
    ST183C08CFN0 TO-200AB (A-Puk) DISCRETE 800 690 370 55 4120 4310 3 200 1.8 600 15 0.08
    ST183S08PFL0 TO-209AB (TO-93) DISCRETE 800 306 195 85 4120 4310 3 200 1.8 600 10 0.105
    ST223C08CFL0 TO-200AB (A-Puk) DISCRETE 800 745 390 55 4920 5150 3 200 1.58 600 10 0.08
    ST223C08CFN0 TO-200AB (A-Puk) DISCRETE 800 745 390 55 4920 5150 3 200 1.58 600 15 0.08
    ST223S08PFN0 TO-209AB (TO-93) DISCRETE 800 345 220 85 4920 5150 3 200 1.58 600 15 0.105
    ST303C08CFL0 TO-200AB (E-Puk) DISCRETE 800 1180 620 55 6690 7000 3 200 2.16 1255 10 0.04
    ST303C08CFN0 TO-200AB (E-Puk) DISCRETE 800 1180 620 55 6690 7000 3 200 2.16 1255 15 0.04
    ST303C08LFL0 TO-200AC (B-Puk) DISCRETE 800 995 515 55 6690 7000 3 200 2.16 1255 10 0.05
    ST303C08LFN0 TO-200AC (B-Puk) DISCRETE 800 995 515 55 6690 7000 3 200 2.16 1255 15 0.05
    ST303S08PFN0 TO-209AE (TO-118) DISCRETE 800 471 300 65 6690 7000 3 200 2.16 1255 15 0.1
    ST333C08CFL0 TO-200AB (E-Puk) DISCRETE 800 1435 720 55 9250 9700 3 200 1.96 1810 12 0.04
    ST333C08CFM0 TO-200AB (E-Puk) DISCRETE 800 1435 720 55 9250 9700 3 200 1.96 1810 15 0.04
    ST333C08LFL0 TO-200AC (B-Puk) DISCRETE 800 1230 620 55 9250 9700 3 200 1.96 1810 12 0.05
    ST333C08LFM0 TO-200AC (B-Puk) DISCRETE 800 1230 620 55 9250 9700 3 200 1.96 1810 15 0.05
    ST333S08PFL0 TO-209AE (TO-118) DISCRETE 800 518 330 75 9520 9700 3 200 1.51 1040 12 0.1
    ST733C08LFL0 TO-200AC (B-Puk) DISCRETE 800 1900 940 55 16800 17600 3 200 1.63 1700 12 0.031
    ST733C08LFM0 TO-200AC (B-Puk) DISCRETE 800 1900 940 55 16800 17600 3 200 1.63 1700 15 0.031
    VDRM (Maximum Repetitive Peak Off-state Voltage) - максимальное пиковое повторяющееся напряжение в закрытом состоянии
    IT(RMS) (Maximum Root-Mean Square On-state Current) - максимальный среднеквадратический ток в открытом состоянии
    IT(AV) (Maximum Average On-State Current) - максимальный средний ток в открытом состоянии
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    ITSM(50Hz) (Maximum Peak One-Cycle Non-repetitive On-state or Forward Current) - максимальный пиковый неповторяющийся ток в открытом состоянии в течении одного цикла при 50 Гц
    ITSM(60Hz) (Maximum Peak One-Cycle Non-repetitive On-state or Forward Current) - максимальный пиковый неповторяющийся ток в открытом состоянии в течении одного цикла при 60 Гц
    Vgt (Maximum Required DC Gate Voltage to Trigger) - максимально необходимое для открытия постоянное напряжение на управляющем электроде
    Igt (Maximum Required DC Gate Current to Trigger) - максимально необходимый для открытия постоянный ток управляющего электрода
    VTM (Maximum Peak On-state Voltage) - максимальное пиковое напряжение в открытом состоянии
    @ITM (Maximum Peak On-state Current) - максимальный пиковый ток в открытом состоянии
    DV/DT (Critical Rate-of-rise of Off-state voltage) - максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
    Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Tq (Maximum Turn-off Time) - максимальное время выключения