IGBT повышенной надежности фирмы IR

Типономинал	Корпус	Схема	BVces	Vce(on) Max	Ic @ 25°C	Ic @ 90°C	Ic @ 100°C	PD	Rth(JC)
IRG4MC30F	TO-254AA	DISCRETE	600	1.7	28		15	75	1.67
IRG4MC40U	TO-254AA	DISCRETE	600	2.1	35		20	125	1
IRG4MC50F	TO-254AA	DISCRETE	600	2	35		30	150	0.83
IRG4MC50U	TO-254AA	DISCRETE	600	2.25	35		27	150	0.83
IRGIH50F	TO-259AA	DISCRETE	1200	2.9	25		45	200	0.625
IRGMC30F	TO-254AA	DISCRETE	600	2.1	23		12	75	1.67
IRGMC30U	TO-254AA	DISCRETE	600	3	17		8	75	1.67
IRGMC40F	TO-254AA	DISCRETE	600	2	35		20	125	1
IRGMC40U	TO-254AA	DISCRETE	600	3	31		15	125	1
IRGMC50F	TO-254AA	DISCRETE	600	1.7	35		30	150	0.83
IRGMC50U	TO-254AA	DISCRETE	600	3	35		20	150	0.83
IRGMH40F	TO-254AA	DISCRETE	1200	3.6	24		13	96	1.3
IRGMIC50U	TO-259AA	COPACK	600	3	45		27	200	0.625
IRGMVC50U	TO-258AA	COPACK	600	3	45		27	200	0.625
IRGVH50F	TO-258AA	DISCRETE	1200	2.9	45		25	200	0.625
OM6516SC	TO-258AA	DISCRETE	1200	4		25		125	1
OM6517SA	TO-254AA	DISCRETE	1200	4		20		125	1
OM6517SW	D3	DISCRETE	1200	4		20		125	1
OM6520SC	TO-258AA	COPACK	1200	4		25		125	1

Vces (Maximum IGBT Blocking Voltage) - максимальное запирающее напряжение IGBT

Vce(on) Max (Collector-to-Emitter Saturation Voltage) - максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Ic (Continuous Collector Current) - продолжительный ток коллектора

PD (Power Dissipation) - рассеиваемая мощность

Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус