P-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение - 20 : -60 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Мощность рассеяния
IRF5M4905	TO-254AA	DISCRETE	P	-55	0.03	-35	-35	125
IRF5N4905	SMD-1	DISCRETE	P	-55	0.024	-55	-36	125
IRF5NJ5305	SMD-0.5	DISCRETE	P	-55	0.065	-22	-16	75
IRF5Y5305CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-55	0.065	-18	-15	75
IRFE9024	18-pin LCC	DISCRETE	P	-60	0.28	-5.4	-3.4	14
IRFF9024	TO-205AF	DISCRETE	P	-60	0.28	-6.4	-4.1	20
IRL5NJ7404	SMD-0.5	DISCRETE	P	-20	0.04	-11	-7.0	50

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения