В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 400 В

    Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
    2N6760 TO-204AA DISCRETE N 400 1 5.5 3.5 75
    2N6768 TO-204AE DISCRETE N 400 0.3 14 9 150
    2N6786 TO-205AF DISCRETE N 400 3.6 1.25 0.8 15
    2N6792 TO-205AF DISCRETE N 400 1.8 2 1.25 20
    2N6800 TO-205AF DISCRETE N 400 1 3 2.0 25
    IRF330 TO-204AA DISCRETE N 400 1 5.5 3.5 75
    IRF340 TO-204AA DISCRETE N 400 0.55 10 6 125
    IRF350 TO-204AE DISCRETE N 400 0.3 14 9 150
    IRF360 TO-204AE DISCRETE N 400 0.2 25 16 300
    IRFE310 18-pin LCC DISCRETE N 400 3.6 1.25 0.8 15
    IRFE320 18-pin LCC DISCRETE N 400 1.8 1.8 1.1 14
    IRFE330 18-pin LCC DISCRETE N 400 1 3.0 2 25
    IRFF310 TO-205AF DISCRETE N 400 3.6 1.25 0.8 15
    IRFF320 TO-205AF DISCRETE N 400 1.8 2 1.25 20
    IRFF330 TO-205AF DISCRETE N 400 1 3 2.0 25
    IRFI360 TO-259AA DISCRETE N 400 0.2 25 16 300
    IRFM340 TO-254AA DISCRETE N 400 0.55 10 6 125
    IRFM350 TO-254AA DISCRETE N 400 0.315 14 9 150
    IRFM360 TO-254AA DISCRETE N 400 0.2 23 14 250
    IRFN340 SMD-1 DISCRETE N 400 0.55 10 6 125
    Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
    IRFN350 SMD-1 DISCRETE N 400 0.315 14 9 150
    IRFV360 TO-258AA DISCRETE N 400 0.2 25 16 300
    IRFY340CM TO-257AA DISCRETE N 400 0.55 8.7 5.5 100
    JANTX2N6760 TO-204AA DISCRETE N 400 1 5.5 3.5 75
    JANTX2N6768 TO-204AE DISCRETE N 400 0.3 14 9 150
    JANTX2N6786 TO-205AF DISCRETE N 400 3.6 1.25 0.8 15
    JANTX2N6786U 18-pin LCC DISCRETE N 400 3.6 1.25 0.8 15
    JANTX2N6792 TO-205AF DISCRETE N 400 1.8 2 1.25 20
    JANTX2N6792U 18-pin LCC DISCRETE N 400 1.8 1.8 1.1 14
    JANTX2N6800 TO-205AF DISCRETE N 400 1 3 2 25
    JANTX2N6800U 18-pin LCC DISCRETE N 400 1 3.0 2 25
    JANTX2N7221 TO-254AA DISCRETE N 400 0.55 10 6 125
    JANTX2N7221U SMD-1 DISCRETE N 400 0.55 10 6 125
    JANTX2N7227 TO-254AA DISCRETE N 400 0.315 14 9 150
    JANTX2N7227U SMD-1 DISCRETE N 400 0.315 14 9 150
    JANTXV2N6760 TO-204AA DISCRETE N 400 1 5.5 3.5 75
    JANTXV2N6768 TO-204AE DISCRETE N 400 0.3 14 9 150
    JANTXV2N6786 TO-205AF DISCRETE N 400 3.6 1.25 0.8 15
    JANTXV2N6786U 18-pin LCC DISCRETE N 400 3.6 1.25 0.8 15
    JANTXV2N6792 TO-205AF DISCRETE N 400 1.8 2 1.25 20
    Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
    JANTXV2N6792U 18-pin LCC DISCRETE N 400 1.8 1.8 1.1 14
    JANTXV2N6800 TO-205AF DISCRETE N 400 1 3 2 25
    JANTXV2N6800U 18-pin LCC DISCRETE N 400 1 3.0 2 25
    JANTXV2N7221 TO-254AA DISCRETE N 400 0.55 10 6 125
    JANTXV2N7221U SMD-1 DISCRETE N 400 0.55 10 6 125
    JANTXV2N7227 TO-254AA DISCRETE N 400 0.315 14 9 150
    JANTXV2N7227U SMD-1 DISCRETE N 400 0.315 14 9 150
    OM6003SR D2 DISCRETE N 400 1.05 5.5 3.5 50
    OM6040SM SMD-3 DISCRETE N 400 1.05 5 3 50
    BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
    Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
    N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
    ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
    Total Dose - кумулятивная доза облучения